[发明专利]薄膜晶体管基板及具备薄膜晶体管基板的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的氧化物半导体层、与该氧化物半导体层直接连接的金属配线膜、透明导电膜，其特征在于，

所述金属配线膜是通过干式蚀刻法进行图案化而形成的层叠膜，该层叠膜由Ti膜和含有0.05～1.0原子％的Ni、0.3～1.2原子％的Ge、0.1～0.6原子％的La及/或Nd的Al合金膜所构成，该Ti膜与该氧化物半导体层直接连接，且该Al合金膜与该透明导电膜直接连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述Ti膜的膜厚为10～100nm。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述金属配线膜通过溅射法形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述金属配线膜通过干式蚀刻法形成，该干式蚀刻法使用了包含氯气(Cl₂)、三氯化硼(BCl₃)、溴化氢(HBr)中的至少任1种气体的蚀刻剂气体。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中，

所述氧化物半导体由包含从由In、Ga、Zn及Sn构成的组中选择的至少一种元素的氧化物构成。

6.一种显示装置，其特征在于，

设有权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管基板。