[发明专利]MEMS高量程加速度传感器的封装方法有效

专利信息
申请号: 201110173243.1 申请日: 2011-06-25
公开(公告)号: CN102259827A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 刘俊;石云波;唐军;杨玉华;李平;张贺 申请(专利权)人: 中北大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源
地址: 030051 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: mems 量程 加速度 传感器 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS高量程加速度传感器的封装方法,其特征在于:该方法是采用如下步骤实现的:

a)在MEMS高量程加速度传感器的芯片(1)上、下表面阳极键合高硼硅玻璃基板(2),两高硼硅玻璃基板(2)的厚度相等;

b)选取陶瓷基板(3),陶瓷基板(3)的厚度等于芯片(1)的厚度与高硼硅玻璃基板(2)的厚度之和,将陶瓷基板(3)和芯片(1)固定到缓冲基板(4)上,保证固定后陶瓷基板(3)和芯片(1)处于同一水平面,且陶瓷基板(3)和芯片(1)间距紧凑;

c)通过丝网印刷技术在芯片(1)上印制芯片焊盘(5),利用模具在陶瓷基板(3)上印制电缆引线用焊盘(6),在芯片焊盘(5)和电缆引线用焊盘(6)之间印制连接导线(7),并在连接导线(7)上覆盖绝缘材料(12);

d)将缓冲基板(4)、芯片(1)、高硼硅玻璃基板(2)、陶瓷基板(3)固定到不锈钢封装管壳(8)中;

e)焊接电缆引线(9)到陶瓷基板上的电缆引线用焊盘(6);

f)利用灌封胶(11)灌封不锈钢封装管壳(8)的内腔;

g)将不锈钢盖板(10)缝接到不锈钢封装管壳(8)上。

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