[发明专利]硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池有效
| 申请号： | 201110172479.3 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102244110A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 李卫;冯良桓;武莉莉;张静全;蔡亚平;雷智;狄霞;杨镓溢;王文武 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/072 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硒化钒 薄膜 接触 cdte 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池，其结构为玻璃/透明导电薄膜/硫化镉/ 碲化镉/硒化钒/金属背电极，其特征是：以CdTe太阳电池基本结构为基础，采用硒化钒作为背接触层材料，添加在碲化镉与金属背电极之间。
2.如权利要求1所述的硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池，其特征是：硒化钒的化学表达式为VSe2-x，其中 0≤x≤1，并满足空间群P-3m1，序号为164。
3.如权利要求1或2所述的硒化钒薄膜作背接触层的CdTe太阳电池，其特征是：硒化钒作为背接触层材料，其厚度大于30 nm，小于500 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
