[发明专利]图像传感器的信号读出电路、模块及方法有效

专利信息
申请号: 201110172468.5 申请日: 2011-06-23
公开(公告)号: CN102196201A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 赵立新;李杰;乔劲轩 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 信号 读出 电路 模块 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器的信号读出电路,包括:

复位晶体管,包括两个端部和一个栅极,所述两个端部中的一个耦接于浮置扩散点,另一个耦接于选通信号,所述栅极耦接于复位信号,其中,所述选通信号用于选通所述复位晶体管所在的像素,所述复位信号用于对所述浮置扩散点复位,以及

复位信号调整模块,用于将所述复位晶体管耦接于所述复位信号,所述复位信号调整模块包括:

调整晶体管,包括两个端部和一个栅极,所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极,所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源,以及

切换模块,配置为响应于控制信号从而使得:

当所述复位晶体管所在的像素被选通时,所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源,以及

当所述像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时,所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

2.根据权利要求1所述的信号读出电路,其特征在于,所述复位晶体管和所述调整晶体管包括NMOS。

3.根据权利要求2所述的信号读出电路,其特征在于,所述切换模块包括PMOS以及第二NMOS,其中,所述PMOS和第二NMOS的一个端部分别耦接于所述调整晶体管的所述另一个端部,所述PMOS和第二NMOS的另一个端部分别耦接于电源和所述复位信号,述PMOS和第二NMOS的栅极分别耦接于所述控制信号。

4.根据权利要求3所述的信号读出电路,其特征在于,所述切换模块还包括第二PMOS,所述第二PMOS与所述第二NMOS并联,所述第二PMOS的栅极耦接于与所述控制信号反相的信号。

5.根据权利要求1所述的信号读出电路,其特征在于,所述控制信号包括所述选通信号,并且当所述选通信号位于有效电平时所述复位信号位于有效电平。

6.一种图像传感器,包括权利要求1-5任意一项所述的信号读出电路。

7.根据权利要求5述的图像传感器,其特征在于,所述图像传感器的位于同一行的各个像素共用所述复位信号调整模块,并且所述调整晶体管的所述两个端部中的一个端部分别耦接于所述同一行的各个像素的复位晶体管的栅极。

8.一种图像传感器的信号读出模块,包括:

复位晶体管,包括两个端部和一个栅极,所述两个端部中的一个端部耦接于浮置扩散点,另一个端部耦接于复位电压,以及

复位信号调整模块,耦接于所述栅极,所述复位信号调整模块配置为:在对所述浮置扩散点进行复位的预定时间内,给所述栅极提供较高的栅极电压,使得所述栅极电压与所述复位晶体管的阈值电压的差值高于或者等于所述复位电压。

9.根据权利要求8述的信号读出模块,其特征在于,所述复位电压包括复位电压脉冲,以及

所述复位信号调整模块包括:

调整晶体管,包括两个端部和一个栅极,所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极,所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源,以及

切换模块,配置为响应于控制信号从而使得:

当所述复位电压脉冲起始时,所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源,以及

当所述复位晶体管所在的像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时,所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

10.根据权利要求8述的信号读出模块,其特征在于,所述复位电压包括选通信号,其中,所述选通信号用于选通所述复位晶体管所在的像素,以及

所述复位信号调整模块包括:

调整晶体管,包括两个端部和一个栅极,所述两个端部中的一个端部耦接于所述复位晶体管的所述栅极,所述调整晶体管的所述栅极耦接于电源,以及

切换模块,配置为响应于控制信号从而使得:

当所述复位晶体管所在的像素被选通时,所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于电源,以及

当所述像素的信号电荷被朝向所述浮置扩散点转移时,所述调整晶体管的另一个端部已经耦接于所述复位信号。

11.根据权利要求10述的信号读出模块,其特征在于,所述控制信号包括所述选通信号。

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