[发明专利]高性能薄膜电阻及其制备方法无效
| 申请号： | 201110172418.7 | 申请日： | 2011-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102314978A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 邓朝勇;雷远清;崔瑞瑞;张荣芬 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/00;H01C1/14;H01C17/00;H01C17/075 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 程新敏 |
| 地址： | 550003 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 薄膜 电阻 及其 制备 方法 | ||
1.一种高性能薄膜电阻，包括绝缘基板（4），其特征在于：在绝缘基板（4）上设有电阻薄膜（3），在每个电阻薄膜（3）的两侧设有引出电极（1），在每个电阻薄膜（3）两侧边缘的顶面设有顶部电极（5），在电阻薄膜（3）的顶面及顶部电极（5）的顶面上设有绝缘保护膜（2）。
2.根据权利要求1所述的高性能薄膜电阻，其特征在于：绝缘基板（4）的材料为氧化铝、氮化铝或二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的高性能薄膜电阻，其特征在于：电阻薄膜（3）的材料为氮化钽、氮化钛、氮化铁、镍铬合金或硅铬合金中的一种或几种的组合或它们的掺杂体系。
4.根据权利要求1所述的高性能薄膜电阻，其特征在于：电极（1）的材料为钽，铌、锂，铜、银、金其中一种或几种的组合或合金。
5.根据权利要求1所述的高性能薄膜电阻，其特征在于：绝缘保护膜（2）的材料为二氧化硅或氮化硅。
6.根据权利要求1所述的高性能薄膜电阻，其特征在于：电阻薄膜（3）、电极（1）及绝缘保护膜（2）的厚度分别为0.5～1.5μm。
7.一种高性能薄膜电阻的制造方法，其特征在于：先利用掩膜工艺在绝缘基板上沉积出一个以上的电阻薄膜；再利用掩膜工艺在每个电阻薄膜的两侧及两侧边缘的顶面上分别沉积出引出电极及顶部电极；最后利用掩膜工艺在电阻薄膜的顶面及顶部电极的顶面上沉积出绝缘保护膜；进行切割分装后获得成品。
8.根据权利要求7所述的高性能薄膜电阻的制造方法，其特征在于：上述的沉积法均采用物理气相沉积法或化学气相沉积法。
9.根据权利要求7所述的高性能薄膜电阻的制造方法，其特征在于：沉积出电极后，将半成品在650～750°的条件下进行热处理25～35分钟。
10.根据权利要求7所述的高性能薄膜电阻的制造方法，其特征在于：沉积出电极后，采用激光调阻的方式，对半成品的阻值进行调节，使其阻值到达目标阻值要求的阻值范围。
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