[发明专利]硅片处理装置及其处理方法有效
| 申请号: | 201110172219.6 | 申请日: | 2011-06-23 |
| 公开(公告)号: | CN102842485A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
| 发明(设计)人: | 李中秋;徐兵;李志丹 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 处理 装置 及其 方法 | ||
1.一种硅片处理装置,用以对硅片进行预对准及边缘曝光,其特征是,所述硅片处理装置沿光路包括:
光源;以及
光学镜头,包括滤波片单元,所述滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片,所述预对准用滤波片通过预对准波段的光,所述曝光用滤波片通过曝光波段的光,所述预对准用滤波片和所述曝光用滤波片之一置于工作状态。
2.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征是,所述光源的光谱波段覆盖预对准波段和曝光波段。
3.根据权利要求1所述的硅片处理装置,其特征是,还包括控制单元,电性连接所述滤波片单元,用以切换所述预对准用滤波片和所述曝光用滤波片置于工作状态。
4.一种硅片处理方法,采用硅片处理装置对硅片进行处理,所述硅片处理装置包括滤波片单元,所述滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片,所述预对准用滤波片通过预对准波段的光,所述曝光用滤波片通过曝光波段的光,其特征是,所述硅片处理方法包括以下步骤:
开启光源;以及
切换所述预对准用滤波片位于所述光源的光路中,对所述硅片进行预对准。
5.根据权利要求4所述的硅片处理方法,还包括:
切换所述曝光用滤波片位于所述光源的光路中,对所述硅片进行边缘曝光。
6.一种硅片处理方法,采用硅片处理装置对硅片进行处理,所述硅片处理装置包括滤波片单元,所述滤波片单元包括预对准用滤波片和曝光用滤波片,所述预对准用滤波片通过预对准波段的光,所述曝光用滤波片通过曝光波段的光,其特征是,所述硅片处理方法包括以下步骤:
开启光源;以及
切换所述曝光用滤波片位于所述光源的光路中,对所述硅片进行边缘曝光。
7.根据权利要求6所述的硅片处理方法,还包括:
切换所述预对准用滤波片位于所述光源的光路中,对所述硅片进行预对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





