[发明专利]LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制造方法，包括如下步骤：

提供半导体衬底，在半导体衬底上采用金属有机化学气相淀积依次生长氮化物成核层、非掺杂氮化物层、N型氮化物层、多量子阱、P型氮化物层；

在P型氮化物层上沉积掩膜层；

蚀刻掩膜层以形成周期性图形结构窗口，所述周期性图形结构窗口内暴露出P型氮化物层；

采用金属有机化学气相淀积外延的方法，在周期性图形结构窗口内、P型氮化物层表面上，形成掺杂锥形结构；

去除掩膜层，形成由P型氮化物层和掺杂锥形结构构成的P型外延层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述氮化物成核层为氮化镓，厚度为

3.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述非掺杂氮化物层为氮化镓，厚度为

4.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述N型氮化物层为N型掺杂氮化镓层，厚度为

5.根据权利要求4所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述N型掺杂氮化镓层中的掺杂物为硅，掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3到1×10¹⁹cm^-3。

6.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述P型氮化物层至下而上的由掺杂第一氮化物层和掺杂第二氮化物层构成。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述的掺杂第一氮化物层为P型掺杂氮化铝镓层，厚度为

8.根据权利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述的掺杂第一氮化物层为掺镁或锌的P型掺杂氮化铝镓层，其中镁或锌的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3到5×10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述的掺杂第二氮化物层为P型掺杂氮化镓层，厚度为

10.根据权利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述的掺杂第二氮化物层为掺镁或锌的P型掺杂氮化镓层，其中镁或锌的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3到5×10¹⁹cm^-3。

11.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述掩膜层为非晶态硅的二氧化硅，厚度为

12.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述掩膜层为非晶态硅的氮化硅，厚度为

13.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述周期性图形结构窗口为周期性的开口。

14.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述周期性图形结构窗口的大小为

15.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述掺杂锥形结构的顶部为锥形。

16.根据权利要求1或15所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述掺杂锥形结构为P型掺杂氮化镓材料，锥形高度为

17.根据权利要求16所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述的掺杂锥形结构为掺镁或锌的P型掺杂氮化镓层，其中镁或锌的掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3到5×10¹⁹cm^-3。

18.根据权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于：所述金属有机化学气相淀积外延生长的反应室压强为100毫托至500毫托，反应温度为750摄氏度至1050摄氏度，反应物为NH₃与TMGa，其中，NH₃与TMGa的摩尔比为500至2000。