[发明专利]电子镇流器中具有死区时间的多频率振荡器

权利要求书

1.一种电子镇流器中具有死区时间的多频率振荡器电路，包括：基准电流产生及镜像电路(1)、放电电流控制电路(4)和振荡电路(6)，特征在于：

基准电流产生及镜像电路(1)的输出端并联连接有控制电压产生电路(2)、充电电流控制电路(5)和最小电流产生电路(3)，该控制电压产生电路(2)的输出端与充电电流控制电路(5)的输入端连接，用于产生逐渐变化的充电电流；

基准电流产生及镜像电路(1)和振荡电路(6)之间接有最小电流产生电路(3)，用于产生最小充电电流；

振荡电路(6)的输出端连接有死区逻辑电路(7)，用于输出具有稳定死区时间的高低端控制信号。

2.根据权利要求书1所述的多频率振荡器，其特征在于所述的控制电压产生电路(2)，包括：

两个MOS开关管MS1和MS2、两个PMOS管M2和M3以及迟滞比较器SMIT，两个PMOS管M2和M3分别构成第一电流源I_C1和第二电流源I_C2，第一电流源I_C1通过第一MOS开关管MS1与外接电容C_C连接，第二电流源I_C2通过第二MOS开关管MS2与外接电容C_C连接，该外接电容同时连接到迟滞比较器SMIT的输入端，迟滞比较器SMIT的输出控制两个MOS开关管MS1和MS2的导通和关断。

3.根据权利要求书2所述的多频率振荡器，其特征在于所述的PMOS管M2的宽长比W/L与PMOS管M3的宽长比W₁/L₁的比值为1/8，故第二电流源I_C2的电流是第一电流源I_C1电流的8倍。

4.根据权利要求书1所述的多频率振荡器，其特征在于所述最小电流产生电路(3)，包括：外接电阻R_M、运算放大器OP2、NMOS管MM1以及两个PMOS管MM2和MM3，该运算放大器OP2和NMOS管MM1与外接电阻R_M组成电压-电流转化电路，用于产生与外接电阻R_M和基准电压V_REFM成函数关系的最小充电电流，PMOS管MM2和MM3组成电流镜，最小充电电流通过该电流镜输出到振荡电路(6)。

5.根据权利要求书1所述的多频率振荡器，其特征在于所述的充电电流控制电路(5)，包括：比较器COMP2、MOS开关管MS3、或门OR2以及PMOS管M5，该PMOS管M5构成第三电流源I₁，并通过MOS开关管MS3与充放电电容C连接，比较器COMP2的负向输入端和正向输入端分别与充放电电容C和控制电压产生电路(2)的输出连接，或门OR2的输入端分别与比较器COMP2的输出端和振荡电路(6)的输出连接，或门OR2的输出控制MOS开关管MS3的导通和关断，产生逐渐变化的充电电流。

6.根据权利要求书1所述的多频率振荡器，其特征在于所述死区逻辑电路(7)，包括：

D触发器、两个或非门NOR1和NOR2，该D触发器接成二分频结构，即D触发器的反向输出端XQ接到输入端D，时钟信号输入端接振荡电路(6)的输出信号CLK，该第一或非门NOR1和第二或非门NOR2的输入端同时接到振荡电路(6)的输出信号CLK，第一或非门NOR1的另一输入端接D触发器的正向输出端Q，得到低端控制信号LL，第二或非门NOR2的另一输入端接D触发器的反向输出端XQ，得到高端控制信号LH。