[发明专利]程控可变五位非互易微波单片集成衰减器

权利要求书

1.一种程控可变五位非互易微波单片集成衰减器，其特征在于：由输入端口驻波调节模块、微波衰减模块、输出端口驻波调节模块和控制模块（21）组成；所述输入端口驻波调节模块与输出端口驻波调节模块不对称；

所述输入端口驻波调节模块由第一至第三级输入端口驻波调节电路输入端口驻波调节电路级联组成；所述第一至第三级输入端口驻波调节电路级结构相同，其中第一级输入端口驻波调节电路由第一驻波调节电路单元（1）和第一控制开关（2）串联而成； 

所述微波衰减模块由第一至第四级微波衰减电路和微波幅度平衡电路（24）并联组成；所述第一至第四级微波衰减电路结构相同，其中第一级微波衰减电路由第一固定衰减单元（7）和第一微波单刀单踯开关（8）串联组成；

所述输出端口驻波调节模块由第一至第四级输出端口驻波调节电路级联组成；所述第一级输出端口驻波调节电路由第四驻波调节电路单元（22）和第四控制开关（23）并联而成，所述第二至第四级输出端口驻波调节电路结构相同，其中第二级输出端口驻波调节电路由第五驻波调节电路单元（15）和第五控制开关（16）串联而成；

所述第一至第七控制开关（2、4、6、16、17、19、21）、第一至第四微波单刀单踯开关（8、10、12、14）分别与控制模块（21）的相应控制输出端相连。

2.根据权利要求1所述的程控可变五位非互易微波单片集成衰减器，其特征在于：所述第一级输入端口驻波调节电路单元由场效应管T5、电阻R5和电阻R51组成；所述第二级输入端口驻波调节电路单元由场效应管T6、电阻R6和电阻R61组成；所述第三级输入端口驻波调节电路单元由场效应管T7、电阻R7和电阻R71组成；所述场效应管T5、T6、和T7 的漏极并联后与信号输入端口PORT1连接，其源极分别经电阻R5、R6、R7接地，栅极分别经电阻R51、R61和R71接控制模块（21）的V1、V2、V3控制端口；

所述微波幅度平衡电路21由电阻R0及所连接导线组成，一端连接输入端口PORT1，另一端连接输出端口PORT2；所述第一级微波衰减电路由场效应管T1、电阻R1和电阻R11组成；所述第二级微波衰减电路由场效应管T2、电阻R2和电阻R2组成；所述第三级微波衰减电路由场效应管T3、电阻R3和电阻R3组成；所述第四级微波衰减电路由场效应管T4、电阻R4和电阻R41组成；所述场效应管T1、T2、T3、T4的漏极并联后连接输入端口PORT1，其源极分别经电阻R1、R2、R3 和R4接输出端口PORT2，栅极分别经电阻R11、R21、R31和 R41接控制模块的V5、V6、 V7、和V8端口；

所述第一级输出端口驻波调节电路由场效应管T11和T12、电阻R11和R111组成；所述第二级输出端口驻波调节电路由场效应管T10、电阻R10和R101组成；所述第三级输出端口驻波调节电路由场效应管T9、电阻R9和R91组成；所述第四级输出端口驻波调节电路由场效应管T8、电阻R8和电阻R81组成；所述场效应管T11的漏极接输出端口PORT2，其源极接所述场效应管T12的漏极，栅极与所述场效应管T12的栅极连接后经所述电阻R11接控制模块的V4端口；所述场效应管T12的源极经所述电阻R111接地；

所述场效应管T10、T9、T8的漏极并联后连接输出端口PORT2，其源极分别经电阻R10、R9和R8接地，栅极分别经电阻R101、R91 、R81接控制模块的V3、V2和V1端口。

3.根据权利要求1所述的程控可变五位非互易微波单片集成衰减器，其特征在于：第一至第四微波单刀单掷开关（8、10、12、14）、第一至第七控制开关控制开关（2、4、6、16、17、19、21）采用砷化镓场效应晶体管实现。

4.根据权利要求1所述的程控可变五位非互易微波单片集成衰减器，其特征在于：端口均归一化至50欧姆。

5.根据权利要求1所述的程控可变五位非互易微波单片集成衰减器，其特征在于：所述第一至第四固定衰减单元（9、11、13、15、17）的固定衰减量比值为1: 2: 4: 8，所述微波幅度平衡电路（24）的衰减值为0.5dB。

6.根据权利要求1所述的程控可变五位非互易微波单片集成衰减器，其特征在于：所述电路集成在单片晶圆上。