[发明专利]基于多周期标记的对准方法及装置有效
申请号: | 201110168704.6 | 申请日: | 2011-06-22 |
公开(公告)号: | CN102841515A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 韩悦 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 周期 标记 对准 方法 装置 | ||
1.一种基于多周期标记的对准方法,其特征在于:利用多波长对准光源照射所述多周期标记以获得各级次波形相位,对所述多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正,利用校正后的各级次波形完成对准。
2.如权利要求1所述的基于多周期标记的对准方法,其特征在于,对所述多各级次波形相位按照硅片与标记的旋转值与标记的周期及扫描的方向进行校正包括:
修正后的各级次光的相位值=原始的各级次光的相位值±(硅片旋转值+标记旋转值)*标记参考光栅向量/各级次光的周期值±标记旋转值*扫描中心与期望位置的偏移值/各级次光的周期值;
其中扫描中心与与期望位置的偏移值=0.5*(标记扫描起始位置+标记扫描终止位置)-标记期望位置。
3.如权利要求2所述的基于多周期标记的对准方法,其特征在于,所述多周期标记包括第一周期标记、第二周期标记和第三周期标记。
4.如权利要求3所述的基于多周期标记的对准方法,其特征在于,所述扫描方向包括X方向和Y方向。
5.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法,其特征在于,对所述第一或第三周期标记X方向扫描的校正公式为:phase=phase_m+(Rz+Rm)*gd.y/pm+Rm*sco.y/pm;其中Phase是校正后的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位,phase_m是校正前的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位,Rz是硅片旋转值,Rm是对准标记旋转值,gd.y是标记成像中心到标记参考光栅中心的Y向距离,pm是第一或第三周期标记的周期值,sco.y是扫描中心与期望位置的偏移值;其中,sco.y=0.5*(WS_start_pos.y+WS_end_pos.y)-exp_pos.y,WS_start_pos.y是第一或第三周期标记在Y方向的扫描起始位置,WS_end_pos.y是第一或第三周期标记在Y方向的扫描终止位置,exp_pos.y是第一或第三周期标记的期望位置。
6.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法,其特征在于,对所述第一或第三周期标记Y方向扫描的校正公式为:phase=phase_m+(Rz+Rm)*gd.x/pm-rm*sco.x/pm;其中Phase是校正后的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位,phase_m是校正前的第一或第三周期标记的各级次光的波形相位,Rz是硅片旋转值,Rm是对准标记旋转值,gd.x是标记成像中心到标记参考光栅中心的X向距离,pm是第一或第三周期标记的各级次光的周期值,sco.x是扫描中心与期望位置的偏移值;其中,sco.x=0.5*(WS_start_pos.x+WS_end_pos.x)-exp_pos.x,WS_start_pos.x是第一或第三周期标记在X方向的扫描起始位置,WS_end_pos.x是第一或第三周期标记在X方向的扫描终止位置,exp_pos.x是第一或第三周期标记的期望位置。
7.如权利要求4所述的基于多周期标记的对准方法,其特征在于,对所述第二周期标记X方向扫描的校正公式为:phase=phase-(Rz+Rm)*gd.y/pm+rm*sco.y/pm;其中Phase是校正后的第二周期标记的各级次光的波形相位,phase_m是校正前的第二周期标记的各级次光的波形相位,Rz是硅片旋转值,Rm是对准标记旋转值,gd.y是标记成像中心到标记参考光栅中心的Y向距离,pm是第二周期标记的各级次光的周期值,sco.y是扫描中心与期望位置的偏移值;其中,sco.y=0.5*(WS_start_pos.y+WS_end_pos.y)-exp_pos.y,WS_start_pos.y是第二周期标记在Y方向的扫描起始位置,WS_end_pos.y是第二周期标记在Y方向的扫描终止位置,exp_pos.y是第二周期标记的期望位置。
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