[发明专利]一种基站天线

权利要求书

1.一种基站天线，其特征在于：所述基站天线包括：至少一个辐射振子，用于产生电磁辐射波；超材料面板，用于将所述至少一个辐射振子产生的电磁辐射波汇聚后并向外辐射；所述超材料面板包括基板以及在基板上周期排布的多个小孔。

2.如权利要求1所述的基站天线，其特征在于：所述基站天线还包括反射单元，所述反射单元用以将所述至少一个辐射振子产生的部分电磁波反射至所述超材料面板并被所述超材料面板汇聚后向外辐射。

3.如权利要求1所述的基站天线，其特征在于：所述超材料面板由多个具有相同折射率分布的超材料片层叠加而成，所述超材料片层由多个超材料单元组成，所述超材料单元包括单元基材以及在所述单元基材上形成的一个或多个小孔，全部的单元基材即构成了超材料面板的基板。

4.如权利要求3所述的基站天线，其特征在于：所述超材料片层包括一个以所述超材料片层中心点为圆心的圆形区域和多个半径大于所述圆形区域并与所述圆形区域同心的环形区域，所述圆形区域处折射率最大，具有相同半径的环形区域处折射率相同；半径越大，该半径对应的环形区域处的折射率越小，而且随着半径的增大，折射率的变化量逐渐增大。

5.如权利要求4所述的基站天线，其特征在于：所述每一超材料单元上形成有一个小孔，所述小孔内填充有折射率小于基材折射率的介质，所述超材料单元构成所述超材料片层的排布规律为：所述超材料片层包括一个以所述超材料片层中心点为圆心的圆形区域和多个半径大于所述圆形区域并与所述圆形区域同心的环形区域，所述圆形区域处的超材料单元上形成的小孔体积最小，具有相同半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积相同，随着半径的增大、对应半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积亦增大且远离圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积的变化值大于靠近圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积的变化值。

6.如权利要求5所述的基站天线，其特征在于：所述小孔内填充的介质为空气。

7.如权利要求4所述的基站天线，其特征在于：所述每一超材料单元上形成有一个小孔，所述小孔内填充有折射率大于单元基材折射率的介质，所述超材料单元构成所述超材料片层的排布规律为：所述超材料片层包括一个以所述超材料片层中心点为圆心的圆形区域和多个半径大于所述圆形区域并与所述圆形区域同心的环形区域，所述圆形区域处的超材料单元上形成的小孔体积最大，具有相同半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积相同，随着半径的增大、对应半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积减小且远离圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积的变化值大于靠近圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔体积的变化值。

8.如权利要求4所述的基站天线，其特征在于：所述超材料单元上形成有数量不同、体积相同的小孔，所述小孔内填充有折射率小于单元基材折射率的介质，所述超材料单元构成所述超材料片层的排布规律为：所述超材料片层包括一个以所述超材料片层中心点为圆心的圆形区域和多个半径大于所述圆形区域并与所述圆形区域同心的环形区域，所述圆形区域处的超材料单元上形成的小孔数量最少，具有相同半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量相同，随着半径的增大、对应半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量亦增大且远离圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量的变化值大于靠近圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量的变化值。

9.如权利要求4所述的基站天线，其特征在于：所述超材料单元上形成有数量不同、体积相同的小孔，所述小孔内填充有折射率大于单元基材折射率的介质，所述超材料单元构成所述超材料片层的排布规律为：所述超材料片层包括一个以所述超材料片层中心点为圆心的圆形区域和多个与所述圆形区域同心的环形区域，所述圆形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量最多，具有相同半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量相同，随着半径的增大、对应半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量减少且远离圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量的变化值大于靠近圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔的数量的变化值。

10.如权利要求4所述的基站天线，其特征在于：所述每一超材料单元上形成有体积相同的一个小孔，所述小孔内填充有折射率不同的介质，所述小孔内填充的介质的折射率分布规律为：所述超材料片层包括一个以所述超材料片层中心点为圆心的圆形区域和多个半径大于所述圆形区域并与所述圆形区域同心的环形区域，所述圆形区域处的超材料单元上形成的小孔内填充的介质的折射率最大，具有相同半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔内填充的介质折射率相同，随着半径的增大、对应半径的环形区域处的超材料单元上形成的小孔内填充的介质的折射率减小且远离圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔内填充的介质的折射率的变化值大于靠近圆心的两相邻环形区域处的超材料单元上形成的小孔内填充的介质的折射率的变化值。