[发明专利]一种金属掺杂全空间或准全空间光子晶体制作方法无效
| 申请号： | 201110166936.8 | 申请日： | 2011-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN102279518A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 任芝;李松涛 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学(保定) |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 071003 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 间或 空间 光子 晶体 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米金属掺杂全空间或准全空间光子晶体制作方法，包括以下步骤：
1)在制作光刻胶的过程中使用纳米插层法将纳米金属掺杂进光刻胶中；
2)将上述纳米金属掺杂的光刻胶在基板上进行甩胶，获得制备光子晶体所需的带胶基板；
3)使用上述带胶基板进行光子晶体的制备。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其中所掺杂的纳米金属包括纳米Au，纳米Ag或纳米Al。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其中所掺杂的纳米金属也包括纳米的金属氧化物。
4.根据权利要求3所述制作方法，其中的金属氧化物包括TiO2、ZnO、In2O3、SnO2、Cr2O3、ZrO2、Ta2O5、NbO、Nb2O3或Nb2O5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华北电力大学(保定)，未经华北电力大学(保定)许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110166936.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
