[发明专利]电泵浦半导体激光器性能监测装置及方法

权利要求书

1.一种电泵浦半导体激光器性能监测装置，包括驱动电路(1)，半导体激光器(2)，第一光电探测器(3)，第二光电探测器(4)，取样电路(5)，分光镜(6)，比较计算电路(7)，控制器(8)，存储器(9)；

所述驱动电路(1)用于驱动半导体激光器(2)工作，取样电路(5)对驱动电路(1)输出的电流或电压进行取样，并将取样值送入到控制器(8)中，半导体激光器(2)在驱动电路(1)的驱动下发射出激光，所发射出的激光经过分光镜(6)的分光后分别入射到具有相同性能的第一光电探测器(3)和第二光电探测器(4)上，第一和第二光电探测器分别将所接收到的入射光转变为电流或电压，并都将转变的电流或电压送入到比较计算电路(7)，比较计算电路(7)首先计算第一和第二光电探测器所送入的电流或电压比是否等于分光镜(6)的分光比，如果所计算的电流比或电压比不等于分光镜(6)的分光比，则判断为第一和/或第二光电探测器出现故障，更换出现故障的第一和/或第二光电探测器，如果所计算的电流比或电压比等于分光镜(6)的分光比，则将第一和/或第二光电探测器输出电流或电压值送入到控制器(8)内，控制器(8)计算所述取样值与第一和/或第二光电探测器输出电流值或电压值的比值，然后计算该比值与预先存储在存储器(9)内的参考数值的差，所述参考值为相同的驱动电路(1)输出条件下所测量的参考值，最后判断所述差是否大于一个预定值，如果大于预定值则判断半导体激光器性能出现故障。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一和第二光电探测器输出电流或电压值是指两者的平均值。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述分光镜(6)的分光比为50∶50。

4.根据权利要求1所述的装置，其中控制器(8)还对驱动电路(1)进行控制，控制器(8)控制驱动电路(1)的输出，使得驱动电路(1)的输出值等于存储器(9)中的所述参考值测量时的驱动电路(1)的输出值。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述的参考值包括多个。

6.一种电泵浦半导体激光器性能监测方法，驱动电路(1)用于驱动半导体激光器(2)工作，取样电路(5)对驱动电路(1)输出的电流或电压进行取样，并将取样值送入到控制器(8)中，半导体激光器(2)在驱动电路(1)的驱动下发射出激光，所发射出的激光经过分光镜(6)的分光后分别入射到具有相同性能的第一光电探测器(3)和第二光电探测器(4)上，第一和第二光电探测器分别将所接收到的入射光转变为电流或电压，并都将转变的电流或电压送入到比较计算电路(7)，比较计算电路(7)首先计算第一和第二光电探测器所送入的电流或电压比是否等于分光镜(6)的分光比，如果所计算的电流比或电压比不等于分光镜(6)的分光比，则判断为第一和/或第二光电探测器出现故障，更换出现故障的第一和/或第二光电探测器，如果所计算的电流比或电压比等于分光镜(6)的分光比，则将第一和/或第二光电探测器输出电流或电压值送入到控制器(8)内，控制器(8)计算所述取样值与第一和/或第二光电探测器输出电流值或电压值的比值，然后计算该比值与预先存储在存储器(9)内的参考数值的差，所述参考值为相同的驱动电路(1)输出条件下所测量的参考值，最后判断所述差是否大于一个预定值，如果大于预定值则判断半导体激光器性能出现故障。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一和第二光电探测器输出电流或电压值是指两者的平均值。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述分光镜(6)的分光比为50∶50。

9.根据权利要求6所述的方法，其中控制器(8)还对驱动电路(1)进行控制，控制器(8)控制驱动电路(1)的输出，使得驱动电路(1)的输出值等于存储器(9)中的所述参考值测量时的驱动电路(1)的输出值。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述的参考值包括多个。