[发明专利]反应腔室的密封装置及方法无效
| 申请号: | 201110164573.4 | 申请日: | 2011-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN102270566A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
| 发明(设计)人: | 董金卫;赵燕平;卢言晓;孙少东 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
| 地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反应 密封 装置 方法 | ||
1.一种反应腔室的密封装置,其特征在于,所述密封装置包括:工艺管(1)、工艺板(2)、密封气体供应单元(6)和气压控制单元(5),所述工艺管(1)的管口垂直向下,所述工艺管(1)的管口外沿处设置有与所述工艺管(1)一体的法兰(13),所述工艺板(2)通过所述法兰(13)与所述工艺管(1)连接,所述法兰(13)在与所述工艺板(2)接触的底面上沿所述工艺管(1)的管口一周设有凹槽(3),所述法兰(13)上设有进气管道(4),所述进气管道(4)的一端与所述凹槽(3)连接,所述进气管道(4)的另一端与所述气压控制单元(5)的一端连接,所述气压控制单元(5)的另一端与所述密封气体供应单元(6)连接。
2.如权利要求1所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述密封装置还包括:晶片承载装置(7)和保温桶(8),且均设置于所述工艺管(1)内。
3.如权利要求1所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述密封装置还包括:支撑架(9)和工艺门装置(10),所述工艺板(2)设置于所述支撑架(9)上,所述支撑架(9)安装在所述工艺门装置(10)上。
4.如权利要求1所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述气压控制单元(5)包括:自所述密封气体供应单元(6)向所述进气管道(4)的方向依次连接的调压阀(5-1)、过滤器(5-2)、流量计(5-3)、气动阀(5-4)、单向阀(5-5)和压力传感器(5-6),以及与所述调压阀(5-1)、过滤器(5-2)、流量计(5-3)、气动阀(5-4)、单向阀(5-5)和压力传感器(5-6)分别连接的控制器。
5.如权利要求4所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述气压控制单元(5)还包括:手阀(5-7),设置于所述调压阀(5-1)和密封气体供应单元(6)之间。
6.如权利要求1所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述密封气体供应单元(6)内的密封气体为高纯度的稳定性气体,所述稳定性气体为不会参与工艺反应,且对人没有危害的气体。
7.如权利要求1所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述工艺管(1)、工艺板(2)、法兰(13)和进气管道(4)均由石英或碳化硅制成。
8.如权利要求1~7任一项所述的反应腔室的密封装置,其特征在于,所述进气管道(4)与所述气压控制单元(5)之间通过过渡单元(12)连接,所述过渡单元(12)包括自所述进气管道(4)向所述气压控制单元(5)的方向依次连接的过渡管接头(12-1)、过渡管(12-2)和密封接头(12-3)。
9.一种基于权利要求1~8任一项所述的反应腔室的密封装置的密封方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:工艺板通过法兰安装于工艺管的管口处,工艺板与工艺管之间的空间为反应腔室,工艺门装置上升使工艺板与工艺管紧密接触;
S2:密封气体供应单元中的密封气体依次经过气压控制单元、过渡单元和进气管道,进入凹槽;
S3:所述气压控制单元通过调节所述凹槽内密封气体的压力,以实现所述反应腔室内工艺气体的压力与所述凹槽内密封气体的压力平衡,从而保证所述反应腔室内工艺气体不会泄露出来,同时也控制所述凹槽内密封气体的压力大于外界气体的压力,防止外部气体进入所述凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





