[发明专利]一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法无效
| 申请号： | 201110163536.1 | 申请日： | 2011-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102226297A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;张宏海;吕建国;杨晓朋;黄俊;李洋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B23/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 纳米 阵列 及其 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种斜向ZnO纳米线阵列，其特征在于所述的ZnO纳米线与衬底表面呈55～65°夹角，向相反的方向交叉有序排列。
2.权利要求1所述的斜向ZnO纳米线阵列的生长方法，其特征在于步骤如下：
1）在m面蓝宝石衬底上沉积一层（100）取向的ZnO薄膜；
2）以纯ZnO和纯石墨按质量比2:1混合作为源材料，称量0.5~2g源材料放入一端开口的石英管的密闭端一侧，将m面蓝宝石衬底置于石英管的开口端一侧；衬底与源材料距离为8-15cm，与石英管开口端之间的距离为1~10cm；石英管放置在水平管式炉反应室中，石英管开口端处于气流下方向，反应室真空度至少抽至20Pa，源材料加热到850~950℃，然后向反应室通入纯氮气和纯氧气，氮气流量为90~99sccm，氧气流量为1~10sccm，在1000~1500Pa压强下生长。
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