[发明专利]流体喷射装置有效
| 申请号: | 201110163252.2 | 申请日: | 2011-06-10 |
| 公开(公告)号: | CN102275388A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
| 发明(设计)人: | 平林直人 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | B41J2/175 | 分类号: | B41J2/175 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王轶;李伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 流体 喷射 装置 | ||
技术领域
本发明涉及流体喷射装置。
背景技术
以往,作为从形成于头的喷射面的喷嘴开口向靶材喷射流体的流体喷射装置,例如广泛地公知有喷墨式印刷装置(以下,仅称为“印刷装置”)。在这样的印刷装置中,公知有在头的喷射面相对于水平面倾斜的状态(例如,垂直地立起的状态)下向靶材喷射流体的结构的印刷装置(例如,参照专利文献1)。
在这种具有所谓的纵型头(vertical head)的印刷装置中,以对因粘度增加的墨水所导致的喷嘴开口的堵塞进行抑制、以及将混入于头内的墨水中的气泡、灰尘排出等为目的,进行从头内强制地吸引粘度增加等的墨水并排出的吸引动作。
在吸引动作中,例如,以与头的喷射面对置的方式配置帽部件而进行吸引动作。在该情况下,由于帽部件的开口部(密闭喷射面的部分)为横向,因此例如以在帽部件的内部配置有墨水吸收材料的状态进行吸引动作,以免墨水泄漏。
专利文献1:日本特开平03-293150号公报
然而,在上述结构中,存在印刷装置成为倾斜的状态的情况(例如,倒下的情况等)、成为上下相反的状态的情况(例如,搬运时等)。在该情况下,例如,存在墨水向帽部件的开口部侧流动的可能性,如果进行压盖动作等,则存在墨水附着于头的喷射面的可能性。
发明内容
鉴于上述的事情,本发明的目的在于提供一种能够防止喷出环境恶化的流体喷射装置。
本发明所涉及的流体喷射装置具备:流体喷射头,其具有喷射流体的喷射面;流体接收部,其接收从上述流体喷射头喷射的上述流体;流体箱,其具有积存对上述喷射面进行保湿的上述流体的流体室;吸引部,其对上述流体室进行吸引;流体流入部,其在上述流体室具有与上述流体接收部连接的流体流入口,且使利用上述流体接收部接收的上述流体从上述流体流入口流入到上述流体室;以及流体流出部,其在上述流体室具有与上述吸引部连接的流体流出口,且使上述流体室的上述流体从上述流体流出口朝上述吸引部流出,上述流体喷射装置的特征在于,上述流体流入口以及上述流体流出口配置成,配置在从上述流体喷射头喷射上述流体时的第一状态下的上述流体箱的上述流体室中的位于比上述流体流出口靠铅垂方向下侧的位置的基准空间的体积,比配置在相对于上述第一状态倾斜90度的第二状态下的上述流体箱的上述流体室中的位于比上述流体流入口靠铅垂方向下侧的位置的空间的体积小。。
根据本发明,保持在配置于第一状态的流体箱的流体室中的流体与位于流体流出口的铅垂方向下侧的空间的基准体积(基准空间的体积)一致。另外,由于该基准体积比配置于第二状态的流体箱的流体室中的、位于比流体流入口靠铅垂方向下侧的位置的空间的体积小,故即便是在流体箱成为第二状态的情况下,流体的上表面也配置于比流体流入口靠铅垂方向的下侧的位置。因此,由于流体不会与流体流入口接触,故能够防止流体室的流体从流体流入口返回到流体接收部。由此,能够防止流体附着于喷射面,故可以防止喷出环境的恶化。
上述的流体喷射装置的特征在于,上述流体流入口以及上述流体流出口配置成,配置于上述第二状态的上述流体箱的上述流体室中的、位于比上述流体流出口靠铅垂方向下侧的位置的空间的体积比上述基准体积大。
根据本发明,即便是在流体箱成为第二状态的情况下,流体的上表面也配置于比流体流出口靠铅垂方向的下侧的位置。由于流体不会与流体流出口接触,故能够防止流体室的流体从流体流出口过度地流出。由于能够将流体可靠地保持于流体室,故能够对喷射面进行保湿。由此,能够防止喷出环境的恶化。
上述的流体喷射装置的特征在于,上述流体流入口以及上述流体流出口配置成,配置在相对于上述第一状态倾斜180度的第三状态的上述流体箱的上述流体室中的、位于比上述流体流入口靠铅垂方向下侧的位置的空间的体积比上述基准体积大。
根据本发明,即便是在流体箱成为第三状态的情况下,流体的上表面也配置于比流体流入口靠铅垂方向的下侧的位置。由于流体不会与流体流入口接触,故能够防止流体室的流体从流体流入口返回到流体接收部。由此,能够防止流体附着于喷射面,故能够防止喷出环境的恶化。
上述的流体喷射装置的特征在于,上述流体流入口以及上述流体流出口配置成,配置于上述第三状态的上述流体箱的上述流体室中的、位于比上述流体流出口靠铅垂方向下侧的位置的空间的体积比上述基准体积大。
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