[发明专利]表面声波谐振器、表面声波振荡器以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201110162592.3 申请日: 2011-06-16
公开(公告)号: CN102332887A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 山中国人 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/25
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 表面 声波 谐振器 振荡器 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种表面声波谐振器,其具有:叉指换能器IDT,其设置在欧拉角为的石英基板上,激励出阻带上端模式的表面声波;以及电极指间槽,其是使位于构成所述IDT的电极指之间的基板凹陷而形成的,该表面声波谐振器的特征在于,

在设所述表面声波的波长为λ、所述电极指间槽的深度为G的情况下,满足下式:

0.01λ≤G,

并且,在设所述IDT的线占有率为η的情况下,所述电极指间槽的深度G与所述线占有率η满足下式的关系:

-2.0000×G/λ+0.7200≤η≤-2.5000×G/λ+0.7775

其中0.0100λ≤G≤0.0500λ

-3.5898×G/λ+0.7995≤η≤-2.5000×G/λ+0.7775

其中0.0500λ<G≤0.0695λ,

该表面声波谐振器具有一对反射单元,该一对反射单元配置成在所述表面声波的传播方向上夹着所述IDT,对所述表面声波进行反射。

2.根据权利要求1所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述电极指间槽的深度G满足下式的关系:

0.01λ≤G≤0.0695λ。

3.根据权利要求1或2所述的表面声波谐振器,其特征在于,

在设所述IDT的电极指的膜厚为H时,满足下式的关系:

0<H≤0.035λ。

4.根据权利要求3所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述线占有率η满足下式的关系:

η=-1963.05×(G/λ)3+196.28×(G/λ)2-6.53×(G/λ)

-135.99×(H/λ)2+5.817×(H/λ)+0.732

-99.99×(G/λ)×(H/λ)。

5.根据权利要求3或4所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述电极指间槽的深度G与所述电极指膜厚H之和满足下式的关系:

0.0407λ≤G+H。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述ψ与所述θ满足下式的关系:

ψ=1.191×10-3×θ3-4.490×10-1×θ2+5.646×101×θ-2.324×103±1.0。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的表面声波谐振器,其特征在于,

在设所述IDT的阻带上端模式的频率为ft2、所述反射单元的阻带下端模式的频率为fr1、所述反射单元的阻带上端模式的频率为fr2时,满足下式的关系:

fr1<ft2<fr2。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述反射单元被配置成与构成所述IDT的电极指平行,且所述反射单元由使所述石英基板凹陷而成的槽构成。

9.根据权利要求8所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述反射单元所具有的槽是相互平行的多个槽。

10.根据权利要求8或9所述的表面声波谐振器,其特征在于,

在设构成所述IDT的电极指的膜厚为HmT、所述电极指间槽的深度为HgT、所述电极指的有效膜厚为HT/λ、并且设所述反射单元具有的所述槽的深度为HgR时,

所述IDT与所述反射单元满足下式的关系:

HT/λ<HgR/λ,

其中,HT=HmT+HgT

11.根据权利要求10所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述HgR为3λ以上。

12.根据权利要求1至7中任意一项所述的表面声波谐振器,其特征在于,

所述反射单元由设置在所述石英基板上的相互平行的多个导体带构成。

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