[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110161985.2 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102290368A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 山口大五郎;野田理崇 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：
在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)的工序；以及
在形成所述凹部(3、13)后、使用洗涤液(5)将在所述凹部(3、13)内存在的包括保护膜(4、14)在内的异物除去的工序，
所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述碱性溶液含有氨水和四甲基氢氧化铵中的某一种。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成所述凹部(3、13)的工序中，形成宽为10μm以下且纵横比为5以上的所述凹部(3、13)。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
形成所述凹部(3、13)的工序包括以下工序：一边用所述保护膜(4、14)覆盖所述凹部(3、13)的侧壁面，一边挖掘所述凹部(3、13)的底面。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
相对于所述双氧水的所述螯合剂的添加量在0.5重量％～1.5重量％的范围内。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
除去所述异物的工序包括以下工序：将所述洗涤液(5)加热至50℃～100℃的范围内的温度。
7.如权利要求2至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述洗涤液(5)中，所述添加有螯合剂的双氧水、氨水和水的混合比在1∶1∶4～1∶1∶6的范围内。
8.如权利要求2至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述洗涤液(5)中，所述添加有螯合剂的双氧水、四甲基氢氧化铵和水的混合比在1∶1∶4～1∶1∶6的范围内。
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