[发明专利]高通量干式生化芯片无效
| 申请号: | 201110161162.X | 申请日: | 2011-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN102253229A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 钱辉 | 申请(专利权)人: | 钱辉 |
| 主分类号: | G01N35/00 | 分类号: | G01N35/00 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 201315 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 通量 生化 芯片 | ||
1.一种高通量干式生化芯片,其特征在于,包括芯片基座、过滤层和反应孔盖板,所述芯片基座上设置有相互独立的若干反应孔,所述反应孔中从上至下依次设置有试剂层和显色层,所述反应孔盖板开设有加样孔,所述反应孔盖板盖设在所述芯片基座上且所述加样孔位于所述反应孔上,所述过滤层位于所述加样孔和所述反应孔之间。
2.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述芯片基座具有凹部,所述反应孔设置在所述凹部中,所述反应孔盖板盖设在所述凹部中。
3.根据权利要求2所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述反应孔呈圆周分布。
4.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述芯片基座是塑料基座。
5.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述芯片基座为圆柱体基座。
6.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述芯片基座为透明基座。
7.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述反应孔的数目大于10。
8.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述加样孔呈内外两圈圆圈分布。
9.根据权利要求1所述的高通量干式生化芯片,其特征在于,所述过滤层是过滤膜。
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