[发明专利]一种改善半导体晶片翘曲的方法

权利要求书

1.一种改善半导体晶片翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、于一已电镀铜的晶圆基材背面进行清洁操作；

步骤2、在步骤1中所述的晶圆基材背面生长一层应力薄层；

步骤3、对步骤2所得的晶圆表面进行化学机械研磨去除多余金属；

步骤4、在所述晶圆的电镀铜表面淀积阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洁操作采用湿化学清洗法、干法刻蚀或等离子体表面处理法。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿化学清洗法包括，化学液酸洗法，刷洗法及超声波清洗法。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力薄层为氮化硅材质制成。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的应力薄膜的厚度为10-200nm。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的应力薄层为拉应力薄层或压应力薄层。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的应力薄膜的生长方式为化学气相沉积、炉管生长或原子层沉积。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力薄层采用紫外线光照射处理进行应力加强处理。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为SiN， SiC， SiOC， SiOCN， SiCN的其中一种阻挡层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2的应力薄层生长之后，采用退火处理。