[发明专利]制造薄膜太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：

提供上面分配有多个电池的基板；

在所述基板上沉积透明电极形成薄膜；

通过激光照射在所述透明电极形成薄膜中形成多个第一槽，由此在各个电池中形成彼此间隔的透明电极，并形成多个初级第四槽，通过所述多个初级第四槽暴露所述基板的表面；

在上面形成有所述透明电极的所述基板上沉积半导体层形成薄膜；

通过激光照射在所述半导体层形成薄膜中形成多个第二槽，由此在各个电池中形成彼此间隔的半导体层；

在上面形成有所述半导体层的所述基板上形成金属电极形成薄膜；以及

通过激光照射在所述金属电极形成薄膜中形成多个第三槽，由此在各个电池中形成彼此间隔的金属电极，并且暴露所述基板的包括所述多个初级第四槽的所述表面，由此形成将所述多个电池与外部绝缘的多个次级第四槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个初级第四槽使得在沿着所述薄膜太阳能电池的外围部分的四个表面去除所述透明电极形成薄膜时通过所述多个初级第四槽暴露所述基板的所述表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用波长为355nm和1064nm的激光来形成所述多个第一槽和所述多个初级第四槽。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述薄膜太阳能电池的外围部分的四个表面上彼此交叉地形成所述多个初级第四槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用波长为532nm的激光来形成所述多个第二槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个次级第四槽使得在沿着所述薄膜太阳能电池的外围部分的四个表面去除所述多个初级第四槽的所述半导体层和在所述半导体层上形成的所述金属电极形成薄膜时通过所述多个次级第四槽暴露所述基板的所述表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用波长为532nm、355nm和1064nm的激光来形成所述多个第三槽和所述多个次级第四槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述薄膜太阳能电池的外围部分的四个表面上彼此交叉地形成所述多个次级第四槽。