[发明专利]采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置

权利要求书

1.采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，该装置包括桶状育晶器，以及，与桶状育晶器外壁贴合装设的内浴槽，以及，与内浴槽外壁贴合装设的外浴槽，在外浴槽的外壁上开设有冷却水输入接口以及冷却水输出接口，在内浴槽位置装设有搅拌器，其特征在于，装设于内浴槽位置的搅拌器是集成了电热元件的射流式搅拌器，该集成了电热元件的射流式搅拌器其结构包括一台自吸泵，以及，射流组件，该射流组件是一个带有内部腔室的构件，该射流组件具有一个进水接口以及出水喷射口，所述内部腔室同时与所述射流组件的进水接口以及出水喷射口联通，所述自吸泵的出水接口与该射流组件的进水接口联通，所述自吸泵的进水接口与集流组件联通，该集流组件是具有流体收集口的管状物，所述流体收集口上装设有过滤网，在所述射流组件的内部腔室中装设有电热元件，该电热元件是带有绝缘层及金属保护套的电阻式电热元件，所述射流组件的出水喷射口以及所述集流组件的流体收集口均架设在所述内浴槽的内部。

2.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，所述出水喷射口呈扁平形状。

3.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，所述出水喷射口的数量在一个以上。

4.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，所述出水喷射口的朝向平行于水平面。

5.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，所述流体收集口的数量在一个以上。

6.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，所述出水喷射口的朝向与该出水喷射口装设位置的内浴槽圆周切线方向相互平行或相互之间形成一个小于60度的夹角。

7.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，在所述流体收集口的附近位置，装设有测温探头。

8.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，该搅拌器的结构还包括与所述测温探头以及所述电热元件联接的全自动温度控制开关或全自动温度控制器。

9.根据权利要求1所述的采用更具结构匹配性搅拌技术的双浴槽降温法育晶装置，其特征在于，所述流体收集口的朝向与该流体收集口装设位置的内浴槽圆周切线方向相互平行或相互之间形成一个小于60度的夹角。