[发明专利]一种物理气相沉积涂层的工艺方法无效
| 申请号： | 201110157952.0 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102230154A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 吴舢红 | 申请（专利权）人： | 上海巴耳思新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201209 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 物理 沉积 涂层 工艺 方法 | ||
1.一种物理气相沉积涂层的工艺方法，步骤如下：
a、对预加工基材表面进行氮化处理：将基体材料置于物理气相沉积设备反应室内的偏转源上，向所述真空反应室内通入氮气和惰性气体，反应时间50～100分钟；
b、在所述基材表面形成沉积薄膜：关闭氮气，使所述反应室降温并向所述反应室内通入涂层材料等离子气体，并使所述涂层材料等离子气体轰击经步骤a氮化处理后的基体材料，反应时间50～100分钟；
c、得到处理后的基材材料。
2. 根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气或氙气。
3. 根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于：所述步骤a中，反应室内真空度在4×10-2Pa以下，温度为450℃～480℃，反应时间为100分钟。
4. 根据权利要求3所述的工艺方法，其特征在于：所述步骤a中，氩气气流速度为5～10毫升/min，氮气气流速度为5～10毫升/min。
5. 根据权利要求4所述的工艺方法，其特征在于：所述步骤a中，氩气气流速度为7毫升/min，氮气气流速度为6毫升/min。
6. 根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：所述步骤b中，反应室内真空度在2×10－2以下，反应室降温至220℃后再将温度控制在380℃～420℃，偏压电源为60 V～100V，反应时间为80分钟。
7. 根据权利要求6所述的工艺方法，其特征在于：所述步骤b中，氩气气流速度为8～10毫升/min，氮气气流速度为60～90毫升/min。
8. 根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：所述基体材料为钢材、硬质合金或经电镀的塑料。
9. 根据权利要求1或2所述的工艺方法，其特征在于：所述涂层材料为氮化钛、氮化铝钛、氮化铬、氮碳化铬涂层、碳氮化钛或氮化锆。
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