[发明专利]一种薄膜条形结构、太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜条形结构的制作方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与其相对的第二表面；

在所述第一表面和/或第二表面上形成至少一条凹痕或一排分离孔；

从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间；以及

从所述凹痕或分离孔分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜条形结构，其中，所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜条形结构的半导体基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述刻蚀半导体衬底的步骤包括：在所述第一和第二表面上形成绝缘层；刻蚀所述第一表面上的绝缘层形成暴露第一表面的至少两个第一开口，以及刻蚀所述第二表面上的绝缘层形成暴露第二表面的至少一个第三开口，每个所述第三开口位于相邻的两个所述第一开口之间，并且刻蚀所述第一表面和/或第二表面上的绝缘层，形成暴露第一表面和/或第二表面的第二开口和/或第四开口；以绝缘层为掩膜刻蚀由所述第一开口、第三开口、第二开口和/或第四开口暴露的半导体衬底，以分别形成第一沟槽、第二沟槽、第一分离孔和/或第二分离孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在刻蚀第一沟槽和第二沟槽之前，用刀具或激光或刻蚀形成所述凹痕或分离孔。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述凹痕或分离孔排列的方向与所述第一沟槽或第二沟槽相交。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一分离孔和/或第二分离孔的形状为圆形、矩形或多边形，其大小为1-20微米。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在刻蚀半导体衬底的步骤之后还包括：至少在所述第一沟槽的侧壁形成具有第一掺杂类型的第一半导体层，以及在所述第一半导体层上形成第一电极层；以及

至少在所述第二沟槽的侧壁形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，以及在所述第二半导体层上形成第二电极层，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成第一半导体层的步骤包括：通过扩散至少在所述第一沟槽侧壁内形成具有第一掺杂类型的第一半导体层；

所述形成第二半导体层的步骤包括：通过扩散至少在所述第二沟槽侧壁内形成具有第二掺杂类型的第二半导体层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中

所述形成第一半导体层的步骤包括：至少在所述第一沟槽的侧壁沉积具有第一掺杂类型的第一半导体层；

所述形成第二半导体层的步骤包括：至少在所述第二沟槽的侧壁沉积具有第二掺杂类型的第二半导体层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一或第二电极层由金属或TCO材料形成，所述TCO包括：SnO₂、In₂O₃、ZnO、ITO、CdO、Cd₂SnO₄、FTO、AZO或其组合。

10.根据权利要求1中任一项所述的方法，其中所述第一沟槽和第二沟槽的深度小于或等于所述半导体衬底的厚度，所述凹痕或分离孔的深度小于所述半导体衬底的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体基板的厚度为5-120μm，宽度为0.2-5mm，其中所述厚度为属于同一基板的、相邻沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离，所述宽度为所述第一表面和第二表面之间的距离。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底为单晶Si、单晶Ge或单晶SiGe，所述第一或第二沟槽的侧壁所对应的半导体衬底的表面晶向为<111>；

所述第一表面的晶向为<110>或<112>；

形成所述第一沟槽和第二沟槽的方法包括各向异性刻蚀。