[发明专利]LED倒装晶元金属膜层及制备方法

权利要求书

1.一种LED倒装晶元金属膜层，其特征在于：包括依次设于所述LED晶元表面的铬涂层、镍涂层。

2.根据权利要求1所述的LED倒装晶元金属膜层，其特征在于：所述用于增加晶元和镍涂层结合力的铬涂层厚度为

3.根据权利要求1所述的LED倒装晶元金属膜层，其特征在于：所述起到助焊作用的镍涂层厚度为

4.一种如权利要求1至3所述的任意一种LED倒装晶元金属膜层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一，将镀膜真空室抽至1*10-5Pa以上的真空度；

第二，向镀膜真空室中通入高纯氩气，使镀膜真空室的压力保持在1.3*10^-1Pa至2.5*10^-1Pa之间；

第三，开启离子束电源，开始对待镀膜晶元的表面进行离子清洗工序；离子清洗过程中，施加在离子束上的工作电压为直流1600V～1800V，工作电流在120mA～160mA之间；离子清洗工序的时间为10分钟；

第四，结束离子清洗后，继续在真空室中通入高纯氩气并保持压力在1.5Pa至2.5Pa之间；

第五，开启带有Cr靶的磁控溅射阴极，开始沉积第一层金属Cr层的沉积；沉积时施加在阴极靶上的电源为直流电源，功率的功率密度为7～9W/cm²，金属Cr沉积涂层厚度

第六，结束第一层金属Cr层的沉积，不改变镀膜真空室内的压力环境，开始第二层金属Ni层的沉积；沉积时施加在阴极靶上的电源为直流电源，功率的功率密度为7～9W/cm²，金属Ni沉积涂层厚度

5.根据权利要求4所述的LED倒装晶元金属膜层的制备方法，其特征在于：所述高纯氩气为5N以上的纯度。

6.根据权利要求4所述的LED倒装晶元金属膜层的制备方法，其特征在于：所述离子清洗工艺过程及金属膜层沉积工艺过程中，晶元上的温度始终保持在80℃以下。