[发明专利]薄膜晶体管和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极、源电极和漏电极；

氧化物半导体有源层，形成在所述栅电极上；

固定电荷蓄积层，形成在所述氧化物半导体有源层的一部分上；以及

固定电荷控制电极，形成在所述固定电荷蓄积层上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括形成在所述氧化物半导体有源层和所述固定电荷蓄积层之间的缓冲层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述缓冲层由绝缘材料制成，并且设置在所述固定电荷蓄积层和氧化物半导体有源层的沟道区域之间。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述缓冲层由氧化硅制成，并且所述固定电荷蓄积层包括选自由氮化硅膜、氮化铝膜、氧化铝膜构成的组中的至少一种膜。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，还包括在所述源电极和所述漏电极上的层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有与所述固定电荷蓄积层的上表面相对的开口，以使得所述固定电荷控制电极设置在所述开口的内表面上。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述缓冲层具有在1nm至50nm的范围内的厚度。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述固定电荷蓄积层具有100nm以下的厚度。

8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极和所述漏电极设置在所述氧化物半导体有源层的一部分上，并且还接触所述缓冲层和所述固定电荷蓄积层的两侧。

9.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述缓冲层由绝缘材料形成，并且被配置成控制蓄积在所述固定电荷蓄积层中的电子的放电。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括形成在所述栅极绝缘膜、所述源电极、所述漏电极的表面上的保护膜，

其中，所述保护膜形成在所述固定电荷蓄积层和所述固定电荷

控制电极之间，以及

其中，所述栅极绝缘膜形成在所述栅电极和所述氧化物半导体有源层之间。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，还包括包围所述栅极绝缘膜和

所述保护膜的一部分的层间绝缘膜。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中，所述层间绝缘膜具有与

所述固定电荷蓄积层的上表面相对的层间绝缘膜开口。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中，所述固定电荷控制电极

至少设置在所述层间绝缘膜开口的底面和侧面上。

14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体有源层包括沟道区域，并且所述缓冲层和所述固定电荷蓄积层由与所述沟道区域的形状至少基本对应的形状形成。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜的覆盖所述沟道区域的部分具有小于所述保护膜其他部分的厚度。

16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极和所述漏电极设置在所述氧化物半导体有源层的一部分上。

17.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

形成栅电极；

在所述栅电极上形成氧化物半导体有源层；

在所述氧化物半导体有源层上形成固定电荷蓄积层；

形成与所述固定电荷蓄积层和氧化物半导体有源层相邻的源电极和漏电极；以及

在所述固定电荷蓄积层上形成固定电荷控制电极。

18.根据权利要求17所述的制造薄膜晶体管的方法，还包括在所述氧化物半导体有源层和所述固定电荷蓄积层之间形成缓冲层。

19.根据权利要求18所述的制造薄膜晶体管的方法，其中，所述缓冲层由绝缘材料制成，并且设置在所述固定电荷蓄积层和所述氧化物半导体有源层的沟道区域之间。

20.根据权利要求19所述的制造薄膜晶体管的方法，其中，所述缓冲层由氧化硅制成，并且所述固定电荷蓄积层包括选自由氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氧化铝薄膜构成的组中的至少一种膜。