[发明专利]一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器

权利要求书

1.一种阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器由SOI基片、沉积于所述SOI基片上的底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于：所述SOI基片包括硅衬底、沉积于所述硅衬底上的氧化硅层和沉积于所述氧化硅层上的硅层；所述底电极通过刻蚀所述硅层得到。

3.根据权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于：所述p型硅电极中掺杂B、Al和Ga中任一种元素；所述掺杂的元素的浓度为10¹²cm^-3-10²¹cm^-3；所述p型硅电极的电阻率为0.0001Ω·cm-0.1Ω·cm。

4.根据权利要求1-3中任一所述的阻变存储器，其特征在于：所述n型氧化锌薄膜的厚度为10nm-1000nm；电阻率为0.1Ω·cm-10¹⁰Ω·cm。

5.根据权利要求1-4中任一所述的阻变存储器，其特征在于：所述n型氧化锌薄膜中锌的原子百分数为50％-50.6％，余量为氧。

6.根据权利要求1-4中任一所述的阻变存储器，其特征在于：所述n型氧化锌薄膜中掺杂Co、Ni、Mn、Al、Ga、Fe和Cu中任一种元素；所述掺杂的元素的原子百分数为0-5％，但不为0；所述n型氧化锌薄膜中锌的原子百分数为45％-50.6％，但不为50.6％，余量为氧。