[发明专利]一种CuI薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种CuI薄膜的制备方法，包括CuI纳米管，其特征在于：以FTO玻璃做衬底、高纯度的去离子水做反应溶剂，以CuSO₄和KI为反应溶质，以EDTA做络合剂，采用电化学方法在沉积电位为-0.05～-0.6V、沉积时间为30～200分钟制备而成。

2.根据权利要求1所述的CuI薄膜的制备方法，其特征在于：溶液中CuSO₄和KI的摩尔浓度分别为0.01～0.05mol/l和0.01～0.05mol/l。

3.根据权利要求1或2所述的CuI薄膜的制备方法，其特征在于：溶液中EDTA的摩尔浓度为0.01～0.05mol/l。

4.根据权利要求1所述的CuI薄膜的制备方法，其特征在于：具体制备方法如下：

a)以FTO做衬底，将衬底在丙酮、乙醇中分别超声5分钟后，用高纯度的去离子水冲洗干净，然后用高纯度的去离子水超声5分钟，并多次冲洗，用氮气吹干备用；

b)以CuSO₄和KI做反应溶质，以高纯度的去离子水做溶剂，以EDTA做络合剂，将CuSO₄和EDTA分别溶于高纯度的去离子水中，使CuSO₄和EDTA在反应溶液中的浓度分别为0.01～0.05mol/l和0.01～0.05mol/l，搅拌使其充分溶解后，混合并搅拌，使其充分混合，形成混合溶液a，将KI溶于高纯度的去离子水中，使KI在反应溶液中的浓度为0.01～0.05mol/l，搅拌使其完全溶解，形成溶液b，并将溶液b加入到混合溶液a中，搅拌使其充分混合；

c)以步骤a)中FTO衬底做工作电极，以步骤b)中的溶液做反应液，以高纯度的铂片做对电极，以饱和氯化银电极做参比电极，设计并连接好电化学反应系统，并以此作为整个反应系统；

d)将整个反应系统的工作电压设定在-0.05～-0.6V之间，开始CuI高质量薄膜的生长反应，在该电压下反应30～200分钟；

e)反应完毕将衬底取出，用氮气吹干。