[发明专利]具可适应性滤波器的通用接收装置

权利要求书

1.一种具可适应性滤波器的通用接收装置，包括：

一天线，用以接收一射频信号，该射频信号具有多个带宽，每一个带宽中包含有多个频道信号；

一低噪声放大器，连接至该天线，对该射频信号进行放大，以产生一放大射频信号；

一带通追踪滤波器，连接至该低噪声放大器，对该放大射频信号进行滤波，以产生一放大滤波射频信号；

一单端转差动单元，连接至该带通追踪滤波器，以将该放大滤波射频信号转为一差动射频信号；

一混波器，连接至该单端转差动单元，并接收一差动本地振荡信号，以产生一差动中频信号；以及

一可适应性滤波器，连接至该混波器，对该差动中频信号进行滤波，以产生一滤波差动中频信号。

2.如权利要求1所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其还包含：

一滤波中频信号自动增益放大器，连接至该可适应性滤波器，对该滤波差动中频信号进行放大，以产生一放大滤波差动中频信号。

3.如权利要求2所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其还包含：

一本地振荡器，连接至该混波器，以产生该差动本地振荡信号。

4.如权利要求3所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，该带通追踪滤波器为一频带选择滤波器，该滤波射频信号中只包含一个特定带宽中的多个频道信号，且该特定带宽的中心频率为该带通追踪滤波器的中心频率。

5.如权利要求4所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，该可适应性滤波器为一频道选择滤波器，该滤波差动中频信号为该特定带宽中的一个特定频道信号。

6.如权利要求5所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，该可适应性滤波器具有高输入阻抗。

7.如权利要求6所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，该可适应性滤波器包含：

一第一滤波器，具有一第一品质因子，用以定义该可适应性滤波器的频宽及中心频率；

一第二滤波器，连接至该第一滤波器，具有一第二品质因子，该第一滤波器及该第二滤波器的频谱用以定义该可适应性滤波器的频宽中的低频处的频率及该频宽中的低频处的锐利度；以及

一第三滤波器，连接至该第二滤波器，具有一第三品质因子，该第一滤波器及该第三滤波器的频谱用以定义该可适应性滤波器的频宽中的高频处的频率及该频宽中的高频处的锐利度；

其中，该第一品质因子的值为5～15，该第二品质因子及该第三品质因子的值为15以上。

8.如权利要求7所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，该第一滤波器、该第二滤波器及该第三滤波器的每个由一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一电感、一第一可变电容、一第一可变电阻、一第二可变电阻、一第三可变电阻、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管及一第三NMOS晶体管所组成。

9.如权利要求8所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，于该第一滤波器、该第二滤波器及该第三滤波器的每个中，该第一PMOS晶体管及该第二PMOS晶体管的源极连接至一高电位，该第一PMOS晶体管及该第二PMOS晶体管的栅极连接至一第一偏压电位，该第一PMOS晶体管的漏极连接至该第一电感的一端、该第一可变电容的一端、该第一可变电阻的一端及该第一NMOS晶体管的漏极，该第二PMOS晶体管的漏极连接至该第一电感的另一端、该第一可变电容的另一端、该第一可变电阻的另一端及该第二NMOS晶体管的漏极，该第一NMOS晶体管及该第二NMOS晶体管的栅极接收一差动电压，该第一NMOS晶体管的源极连接至该第二可变电阻的一端，该第二NMOS晶体管的源极连接至该第三可变电阻的一端，该第二可变电阻的另一端连接至该第三可变电阻的另一端及该第三NMOS晶体管的漏极，该第三NMOS晶体管的栅极连接至一第二偏压电压，该第三NMOS晶体管的源极连接至一低电位。

10.如权利要求9所述的具可适应性滤波器的通用接收装置，其中，于该第一滤波器、该第二滤波器及该第三滤波器的每个中，该第一滤波器、该第二滤波器及该第三滤波器的第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一可变电容、第一可变电阻、第二可变电阻、第三可变电阻、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及第三NMOS晶体管整合在同一个集成电路中。