[发明专利]一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201110153485.4 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102220566A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 瞿研 | 申请（专利权）人： | 无锡第六元素高科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市惠山区长*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 制备 单层 多层 石墨 方法 | ||
1.一种化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：将过渡金属衬底置于真空反应炉中，在除去真空腔内氧气的情况下，将氢气注入真空腔中，并升温至800-1100摄氏度，再将碳源气体注入真空腔中，同时保持氢气流量，1-100分钟后即得沉积石墨烯的金属衬底。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：除去真空腔内氧气的方法是：
（1）将管式炉或气氛炉的气压抽至极限真空状态4～8×10-2 Torr；
（2）以气体流量1-100 sccm将纯度高于99.99%的惰性气体注入到真空腔中；
（3）关闭惰性气体进气阀门，将管式炉或气氛炉的气压抽至极限4～8×10-2 Torr；
（4）重复操作步骤（2）和步骤（3）2～3次，直至将管式炉或气氛炉内的残余氧气除至氧气分压小于1×10-6Torr。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：取出沉积石墨烯的金属衬底的方法是：关闭氢气和碳源气体阀门、真空泵，用惰性气体将管式炉或气氛炉气压充满到一个大气压状态，然后取出金属衬底。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：氢气和碳源气体的流速为1-100 sccm，纯度高于99.99%。
5.根据权利要求1-4所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：所述碳源气体为只含碳氢原子的有机气体。
6.根据权利要求5所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：所述碳源气体为甲烷。
7.根据权利要求1-4所述的化学气相沉积制备单层和多层石墨烯的方法，其特征在于：所述金属衬底为铜箔、镍箔、铷箔或钌箔。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
