[发明专利]栅极制作方法无效
| 申请号： | 201110152761.5 | 申请日： | 2011-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102820215A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;季伟;孙尧;孙勤;彭仕敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 制作方法 | ||
1.一种栅极制作方法，其特征在于，包括步骤：
步骤一、衬底硅片上依次淀积栅绝缘层、多晶硅层和钨硅层；
步骤二、所述钨硅层淀积完成后在氮气环境下进行退火处理；
步骤三、退火完成后在所述钨硅层上淀积氮化硅层；
步骤四、对所述硅片进行光刻定义出栅极区域，依次刻蚀掉所述栅极区域外的所述氮化硅层、所述钨硅层和所述多晶硅层，在所述栅极区域形成栅极，所述栅极由所述钨硅层和所述多晶硅层组成、并由所述氮化硅层保护；
步骤五、对所述栅极的侧壁进行氧化处理。
2.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：所述栅绝缘层的材料为二氧化硅、氮氧化硅、氧化钽和氧化铝中的一种或多种组合；所述栅绝缘层的厚度为
3.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：所述多晶硅层厚度为
4.如权利要求3所述栅极制作方法，其特征在于：所述多晶硅层厚度为
5.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：所述钨硅层采用溅射方式淀积或采用化学气相物理沉积方式淀积，所述钨硅层厚度为
6.如权利要求5所述栅极制作方法，其特征在于：所述钨硅层厚为
7.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：步骤二中的所述退火为炉管退火或快速退火。
8.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：步骤二中的所述退火的温度为700℃～1000℃、时间为5秒～120分。
9.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：步骤五中的所述氧化处理采用炉管氧化或采用快速退火氧化。
10.如权利要求1所述栅极制作方法，其特征在于：步骤五中的所述氧化处理的温度为700℃～1050℃、时间为5秒～120分。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
