[发明专利]带有过流保护功能的自适应IGBT串联均压电路有效
| 申请号： | 201110152454.7 | 申请日： | 2011-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102208800A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 侯凯;赵晓冬;卢文兵;董长城;范镇淇;黄福祥;姚建国;杨胜春;刘骥 | 申请（专利权）人： | 国网电力科学研究院 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H9/04 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 保护 功能 自适应 igbt 串联 压电 | ||
1.带有过流保护功能的自适应IGBT串联均压电路，其特征在于，包括自适应均压电路，所述自适应均压电路是由高速运算放大器A，基准电压源V2，以及时序控制电路构成，在IGBT关断过程中，由并联在绝缘栅双极型晶体管CE端的串联电阻R1和R2将端电压取样输出至运算放大器A的输入端，与基准电压V2进行比较；若端电压发生过压，运算放大器A将输出有效信号，控制时序控制电路输出一定时长的高电平至IGBT栅极，促使端电压降至正常范围。
2.根据权利要求1所述的带有过流保护功能的自适应IGBT串联均压电路，其特征在于，还包括过流保护电路，所述过流保护电路是由比较器C，基准电压源V1，上升延时电路，以及与门构成；在IGBT导通过程中，由并联在绝缘栅双极型晶体管CE端的串联电阻R1和R2将绝缘栅双极型晶体管的导通压降Vce取样输出至比较器C的输入端，与基准电压V1进行比较；若绝缘栅双极型晶体管的集电极电流过流，绝缘栅双极型晶体管的导通压降Vce将超出正常范围，比较器C将输出高电平至与门的输入端；同时PWM信号输出的高电平经上升延时电路后引入至与门的另一输入端，与门将输出高电平，控制PWM信号输出低电平促使绝缘栅双极型晶体管截止，以达到避免回路短路的效果。
3.根据权利要求2所述的带有过流保护功能的自适应IGBT串联均压电路，其特征在于，所述上升延时电路在检测到PWM信号发出低电平时原样输出，在检测到PWM信号发出上升沿时会延迟10微秒再输出高电平，延时期间内仍输出低电平。
4.根据根据权利要求1所述的带有过流保护功能的自适应IGBT串联均压电路，其特征在于，所述电阻R1为兆欧姆级。
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