[发明专利]电力存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电力存储装置，其包括：

集电器；

位于所述集电器上的硅层；和

位于所述硅层上并与所述硅层接触的导电层。

2.如权利要求1所述的电力存储装置，其特征在于，所述导电层包含铜、镍、钛、锰、钴和铁中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的电力存储装置，其特征在于，所述电力存储装置还包括在所述导电层中或在所述导电层和所述硅层之间的导电层的硅化物。

4.如权利要求1所述的电力存储装置，其特征在于，所述导电层包括含磷或硼的第二硅层。

5.如权利要求1所述的电力存储装置，其特征在于，所述硅层包含须状晶体硅。

6.一种制造电力存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

在集电器上形成硅层；

去除位于所述硅层上并与所述硅层接触的氧化物膜；和

形成位于所述硅层上并与所述硅层接触的导电层。

7.如权利要求6所述的制造电力存储装置的方法，其特征在于，所述导电层包含铜、镍、钛、锰、钴和铁中的一种或多种。

8.如权利要求6所述的制造电力存储装置方法，其特征在于，所述导电层的硅化物在导电层中或在所述导电层和所述硅层之间形成。

9.如权利要求6所述的制造电力存储装置的方法，其特征在于，所述导电层包括含磷或硼的第二硅层。

10.如权利要求6所述的制造电力存储装置的方法，其特征在于，所述氧化物膜是所述硅层的天然氧化物膜。

11.一种电力存储装置，其包括：

集电器；

位于所述集电器上的混合层；

位于所述混合层上的硅层；和

位于所述硅层上并与所述硅层接触的导电层。

12.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述混合层包含所述集电器中所含的金属元素和硅。

13.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述导电层包含铜、镍、钛、锰、钴和铁中的一种或多种。

14.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述电力存储装置还包括位于所述导电层中或位于所述导电层和所述硅层之间的导电层的硅化物。

15.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述导电层包括含磷或硼的第二硅层。

16.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述硅层包含须状晶体硅。

17.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述硅层包含须状晶体硅。

18.如权利要求11所述的电力存储装置，其特征在于，所述电力存储装置还包括位于所述混合层和所述硅层之间的金属氧化物层。

19.如权利要求18所述的电力存储装置，其特征在于，所述金属氧化物层包含所述集电器所含的金属元素的氧化物。