[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个第一导电图案，所述多个第一导电图案由镶嵌图案分隔开；

第二导电图案，所述第二导电图案掩埋在所述镶嵌图案中；以及

间隔件，所述间隔件处在所述第二导电图案与所述第一导电图案之间并包含有气隙。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

被配置为气密地密封所述气隙上部的覆盖层。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔件还包括氮化硅层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔件还包括第一间隔件和第二间隔件，并且所述气隙被设置在所述第一间隔件与所述第二间隔件之间。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件包括氮化硅层。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一间隔件包括氮化硅层而所述第二间隔件包括氧化物层。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述氧化物层包括氧化硅层或氧化钨层。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电图案包括存储节点接触插塞，而所述第二导电图案包括位线。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述存储节点接触插塞包括多晶硅层或钨层。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隔件还包括在所述第二导电图案之下延伸的底表面。

11.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

形成第一导电层；

通过刻蚀所述第一导电层来形成镶嵌图案和第一导电图案；

在所述镶嵌图案的侧壁上形成间隔件；

形成掩埋在所述镶嵌图案中的第二导电图案；以及

通过刻蚀所述间隔件的一部分在所述第一导电图案与所述第二导电图案之间形成气隙。

12.如权利要求11所述的方法，还包括以下步骤：

形成用于气密地密封所述气隙上部的覆盖层。

13.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述镶嵌图案的步骤包括以下步骤：

形成镶嵌掩模；以及

使用所述镶嵌掩模作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述第一导电层。

14.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述间隔件的步骤包括以下步骤：

形成包括牺牲间隔件的多重间隔件，所述牺牲间隔件选自氮化钛层、氧化铝层和硅层。

15.如权利要求14所述的方法，其中，通过去除所述牺牲间隔件来形成所述气隙。

16.如权利要求11所述的方法，其中，形成所述第二导电图案的步骤包括以下步骤：

形成填充所述镶嵌图案的导电层，其中在所述镶嵌图案中形成有所述间隔件；以及

通过使所述导电层凹陷来形成所述第二导电图案。

17.如权利要求16所述的方法，还包括：在所述第二导电图案之上形成硬掩模层。

18.如权利要求17所述的方法，其中，形成所述气隙的步骤包括以下步骤：

将所述硬掩模层平坦化，以暴露出包括在所述间隔件之内的牺牲间隔件的上部；以及

通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺去除所述牺牲间隔件。

19.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一导电图案包括存储节点接触插塞，而所述第二导电图案包括位线。

20.如权利要求19所述的方法，其中，所述存储节点接触插塞包括多晶硅层或钨层。

21.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

形成第一导电层；

通过刻蚀所述第一导电层形成镶嵌图案和第一导电图案；

在所述镶嵌图案的侧壁上形成双重间隔件，所述双重间隔件包括牺牲间隔件和间隔件；

形成掩埋在所述镶嵌图案中的第二导电图案；以及

通过刻蚀所述牺牲间隔件形成气隙。

22.如权利要求21所述的方法，其中，形成所述双重间隔件的步骤包括以下步骤：

在所述镶嵌图案的侧壁上形成所述牺牲间隔件；以及

在所述牺牲间隔件的侧壁上形成所述间隔件。