[发明专利]一种电源电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种电源电路。

背景技术

在电子控制器系统中，现有的防反接保护电路通常针对板级控制系统设计，一般功耗较低，电流较小，利用二极管单向导通特性或小电流自恢复保险丝与二极管单向导通特性共同完成对供电对象电源的反接防护。但对于为负载提供大功率驱动的板级电源系统，尤其是车载功率驱动电源系统，其电源电压往往为24V，故单线负载电流高达几十安培，利用单一二极管的反向截至特性存在功耗损耗大、无法抵抗瞬态冲击等诸多问题。而小电流自恢复保险丝与二极管共同完成的反接防护则根本无法实现。而现有的大功率电源保护方案往往针对大电流系统专门设计独立的保护模块，通常体积大、器件多，电路复杂，不适合板级功率电源尤其是车载板级功率电源的保护。

因此，如何研发出一种适用于板级功率电源尤其是车载功率电源的电源电路，是本领域技术人员亟待解决的技术难题。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明提供了一种电源电路。该电源电路包括MOS管(metal-oxide-semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应管)和偏置控制电路，所述MOS管的源极和漏极串接于电源和负载之间，所述偏置控制电路根据接收到的上电时序信号控制MOS管栅源之间的偏置状态。

优选地，所述偏置控制电路包括第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、偏置NMOS管和偏置PMOS管；偏置NMOS管与偏置PMOS管的栅极相连作为输入端接收上电时序信号的输入，偏置NMOS管与偏置PMOS管的漏极相连作为输出端，该输出端与第一电容的一端连接，偏置PMOS管的源极连接于与电源正极和第一二极管的阳极，偏置NMOS管的源极连接于第三二极管的阳极，第三二极管的阴极连接于电源负极；第一电容的另一端连接于第一二极管的阴极和第二二极管的阳极，第二二极管的阴极和第二电容的一端连接于MOS管的栅极，第二电容的另一端连接于电源正极或负极。

优选地，电源正极与电源负极之间连接有压敏电阻。

优选地，MOS管的漏极与电源正极或负极之间连接有TVS管(Transient Voltage Suppressor，瞬态电压抑制器)。

优选地，所述MOS管为N沟道功率MOS管，其源极连接于电源正极，漏极连接于负载。

优选地，所述TVS管的阴极连接于MOS管的漏极，所述TVS管的阳极连接于电源负极。

本发明提供的一种电源电路，通过偏置控制电路接收外部脉冲控制信号(上电时序信号)来控制MOS管栅源之间的偏置状态，即功率电源对负载的供电状态与否受控于外部脉冲控制信号，以保证功率电源为负载正常供电，此外，在优选方案中，通过接入压敏电阻和TVS管，以极少的器件实现功率电源的反接保护和瞬态保护功能。

附图说明

图1所示为本发明实施例所提供的一种电源电路的示意图；

具体实施方式

为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。应当指出，本部分中的对具体结构的描述及描述顺序仅是对具体实施例的说明，不应视为对本发明的保护范围有任何限制作用。

请参考图1，图1所示为本发明实施例所提供的一种电源电路的示意图。

如图所示，本发明实施例的一种电源电路包括压敏电阻R1、TVS管D2、N沟道功率MOS管U2(导通电阻为几毫欧至十几毫欧之间)、偏置MOS管U3和U4(U3为偏置PMOS管，U4为偏置NMOS管)、第一二极管D3、第二二极管D4、第三二极管D5、第一电容C1和第二电容C2；功率电源的电压正极接VCC，负极接地线GND；该电源电路的连接关系如下：