[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

隔离区，其包括置于所述半导体衬底侧面并从所述半导体衬底的一个主表面延伸到另一主表面的第二导电类型的隔离层；

有源区；

边缘端接结构，其置于所述有源区和所述隔离区之间并包围所述有源区，所述边缘端接结构包括置于所述有源区侧的第一边缘端接结构部以及置于所述隔离区侧的第二边缘端接结构部；

在所述第一边缘端接结构部和所述第二边缘端接结构部中的所述半导体衬底的前表面区中形成的第二导电类型的多个第一半导体区；以及

与所述第一半导体区接触并形成在选择性地在所述半导体衬底的所述前表面上形成的层间介电膜上方的多个导电膜；其中

在所述多个导电膜中，在所述第一边缘端接结构部中形成并设置成最靠近所述隔离区侧的第一导电膜比与所述第一导电膜接触的所述第一半导体区进一步朝所述隔离区侧延伸第一长度，所述第一长度为从与所述第一导电膜接触的所述第一半导体区的所述隔离区侧的边缘到所述第一导电膜的所述隔离区侧的边缘的距离；以及

在所述多个导电膜中，在所述第二边缘端接结构部中形成并设置成最靠近所述有源区侧的第二导电膜比与所述第二导电膜接触的所述第一半导体区进一步朝所述有源区侧延伸第二长度，所述第二长度为从与所述第二导电膜接触的所述第一半导体区的所述有源区侧的边缘到所述第二导电膜的所述有源区侧的边缘的距离。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一导电膜的所述隔离区侧的所述边缘比任一个其它导电膜朝所述隔离区侧延伸得更远。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二导电膜的所述有源区侧的所述边缘比任一个其它导电膜朝所述有源区侧延伸得更远。

4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一长度大于所述第二长度。

5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一边缘端接结构部中的所述第一半导体区形成为当所述第一半导体区离所述有源区越远时，相邻第一半导体区之间的距离越宽。

6.如权利要求1至5的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二边缘端接结构部中的所述第一半导体区形成为当所述第一半导体区离所述隔离区越远时，相邻第一半导体区之间的距离越宽。

7.如权利要求1至6的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二边缘端接结构部的宽度小于所述第一边缘端接结构部的宽度。

8.如权利要求1至7的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一长度至少为25μm。

9.如权利要求1至8的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二长度至少为15μm。

10.如权利要求1至9的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

用于在施加正向电压时终止耗尽层从所述有源区侧扩展的沟道终止体包括所述第二导电膜。

11.如权利要求1至10的任一项所述的半导体器件，其特征在于，

用于在施加反向电压时终止耗尽层从所述隔离区侧扩展的沟道终止体包括所述第一导电膜。