[发明专利]一种几何约束下的电场诱导微复型方法

权利要求书

1.一种几何约束下的电场诱导微复型方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)模板的制备及处理

制备具有图形结构的模板，并进行表面处理；

2)基材的选择和匀胶

采用硅片作为基材，利用匀胶机在其表面旋涂UV光固化胶，UV光固化胶的厚度为纳米级至微米级；

3)将处理过的模板压在UV光固化胶上

将处理过的模具压在UV光固化胶上，只要保证模板与UV光固化胶接触即可；

4)外加直流电源

采用直流电源，作为模板的ITO导电层接电源的正极，作为基材的高掺硅接电源负极，调节电压大小，使UV光固化胶所受的电场力足以克服表面张力，驱动光固化胶的流变行为；

5)几何约束下的电诱导复型

使UV光固化胶在稳定的电压下保持0.25小时到4小时，直至复型过程结束；

6)UV光固化胶的固化

在保持电压不变的情况下利用紫外光通过透明模板照射已完成复型的液态UV光固化胶，固化电诱导复型所得的微纳结构；

7)脱模后处理

利用氧气进行干法刻蚀，去除非图形区残余的UV光固化胶。

2.根据权利要求1所述的几何约束下的电场诱导微复型方法，其特征在于，在步骤1)模板的制备及处理方法为：在导电纳米铟锡金属化合物玻璃表面沉积上一层二氧化硅，然后在二氧化硅层上用光刻工艺加工出所需要的图形结构，得到所需模板，或是采用光刻工艺首先在导电纳米铟锡金属化合物玻璃表面上加工出所需图形结构，然后采用套刻工艺在适当位置淀积SiO2，得到所需模板。

3.根据权利要求1所述的几何约束下的电场诱导微复型方法，其特征在于，在步骤3)中，以10Mpa的压力将处理过的模具压在UV光固化胶上。

4.根据权利要求1所述的几何约束下的电场诱导微复型方法，其特征在于，在步骤4)中，电压调节范围在0-300V连续可调。