[发明专利]一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110149912.1 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102321476A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王如志;曲铭浩;严辉;张铭;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 量子 剪裁 透明 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种能有效提高硅基太阳能电池的工作效率的红外量子剪裁透明薄膜材料，其特征在于，由以下成分组成：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。
2.一种能有效提高硅基太阳能电池的工作效率的红外量子剪裁透明薄膜材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3粉体，其中Bi2O3粉体摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3粉体摩尔分数为0.5～5％，然后球磨混合，烘干后在1200℃煅烧12h，将此粉体采用热压法压制成陶瓷靶材；
(2)采用步骤(1)制成的Y2O3:Bi，Yb陶瓷靶材，利用激光脉冲沉积方法，制备薄膜材料：以硅片或石英为衬底，通入纯度为99.999％的O2，衬底温度为400～800℃，靶基距为5～8cm，工作气压为0.5～10Pa，激光能量为100～400mJ/脉冲。
3.按照权利要求2的方法，其特征在于，步骤(2)衬底温度为700℃，靶基距7cm，工作气压为1Pa，激光能量为350mJ/脉冲。
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