[发明专利]半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法

权利要求书

1.一种半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

a.将费氏平均粒度为1.0μm～2.8μm的钨粉、费氏平均粒度为40μm～60μm的钛粉和费氏平均粒度为20μm～60μm的氢化钛粉，按钨粉∶钛粉∶氢化钛粉为(7.0～9.0)∶(0.5～1.5)∶(0.5～1.5)的质量比置于三维混料器中，在转速为40r/min～70r/min条件下混合1.0h～1.5h，得到钨钛合金粉末；

b.将上述钨钛合金粉末置于真空热压烧结模具内，用不锈钢板压实粉末，让其充分填充模具；

c.把填充好钨钛合金粉末的模具放入真空热压烧结炉内，并及时抽真空；

d.然后，升温至500～1000℃并加压至280吨，待加压完成后再升温至1400℃～1430℃，保温0.5～1.5小时；

e.然后，调节真空热压炉功率为“0”，随炉冷却至室温后方可出炉，得到钨钛合金靶的真空热压烧结毛坯；

f.使用线切割设备将上述真空热压烧结毛坯切割至成品尺寸；

g.将经切割后的真空热压烧结毛坯置于真空退火炉内，升温至800℃～1000℃，退火0.5h～1.5h，得到退火后的真空热压烧结钨钛合金靶；

h.将退火后的真空热压烧结钨钛合金靶放入超声波清洗槽内，加适量的洗涤剂及纯净水，使真空热压烧结钨钛合金靶完全浸泡在液体内清洗1～2小时，随后换清水再次清洗1～2小时，最后得到符合要求的钨钛合金靶。

2.根据权利要求1所述的半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于：所述的步骤a中，所述钨粉纯度≥99.995％，所述钛粉纯度≥99.00％。，所述氢化钛粉纯度≥99.00％。

3.根据权利要求1所述的半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于：所述的步骤b中，所述的真空热压烧结模具为石墨模具。

4.根据权利要求1所述的半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于：所述的步骤c中，所述及时抽真空为抽真空至800Pa以下。

5.根据权利要求1所述的半导体及太阳能溅射靶材行业用钨钛合金靶材的制备方法，其特征在于：所述的加压至280吨过程中，加压速度控制在每分钟3～15吨。