[发明专利]叠层有机电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号: | 201110149487.6 | 申请日: | 2011-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN102810644A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
| 发明(设计)人: | 周明杰;王平;黄辉;陈吉星 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【技术领域】
本发明涉及电致发光领域,尤其涉及一种叠层有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。目前,为了提高发光亮度和发光效率,越来越多的研究是以叠层器件为主,这种结构通常是用电荷产生层作为连接层把数个发光单元串联起来,与单元器件相比,叠层结构器件往往具有成倍的电流效率和发光亮度,叠层OLED的初始亮度比较大,在相同的电流密度下测量时,换算成单元器件的初始亮度,堆积器件会有较长的寿命,而这种叠层器件也可以很容易的将不同颜色的发光单元串联混合成白光,从而实现白光的发射。
叠层器件的电荷产生层必须具有电子再生能力和空穴再生能力,且具有比较好的注入能力,才能有效的将电子和空穴注入到各个发光单元,从而实现器件的白光发射。目前研究的比较多的是利用n型和p型掺杂层作为电荷产生层(如n型(Alq3∶Li)和p型(NPB∶FeCl3))顺序连接多个发光单元而构成,但是这种电荷产生层对电子和空穴的再生能力有限,采用这种电荷产生层的叠层有机电致发光器件的发光效率较低。
【发明内容】
基于此,有必要提供一种发光效率较高的叠层有机电致发光器件及其制备方法。
一种叠层有机电致发光器件,包括:阳极、阴极、位于所述阳极和所述阴极之间的两个有机电致发光层以及位于所述两个有机电致发光层中间的电荷产生层;
所述电荷产生层包括依次层叠的如下结构:n型掺杂层、同时具有电子和空穴产生能力的双极性金属氧化物层以及p型掺杂层,所述n型掺杂层比所述p型掺杂层更靠近于所述阳极,所述n型掺杂层的材质为掺杂了金属化合物的电子传输材料,所述p型掺杂层的材质为掺杂了有机空穴注入材料的有机空穴传输材料。
优选的,所述双极性金属氧化物层的材质为MoO3、WoO3或V2O5。
优选的,所述双极性金属氧化物层的厚度为2nm~10nm。
优选的,所述掺杂了金属化合物的电子传输材料中所述金属化合物掺杂的质量比例为5%~60%。
优选的,所述金属化合物为Cs2CO3、CsN3、CsF、LiF或Li2CO3;
所述电子传输材料为8-羟基喹啉铝、1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉或二(2-甲基-8-羟基喹啉)-(4-联苯酚)铝。
优选的,所述n型掺杂层厚度为5nm~20nm。
优选的,所述掺杂了有机空穴注入材料的有机空穴传输材料中所述有机空穴注入材料掺杂的质量比例为1%~10%。
优选的,所述有机空穴注入材料为2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-对苯二醌二甲烷、4,4,4-三(萘基-苯基-铵)三苯胺、4,4,4-三(萘基-1-苯基-铵)三苯胺或4,4,4-三(萘基-2-苯基-铵)三苯胺;
所述有机空穴传输材料为N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺、1,3,5-三苯基苯或4,4,4,-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯胺。
优选的,所述p型掺杂层厚度为5nm~40nm。
一种叠层有机电致发光器件的制备方法,包括如下步骤:
步骤一、提供阳极;
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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