[发明专利]像素的电荷存储电路以及显示器

权利要求书

1.一种用于像素的电荷存储电路，所述电荷存储电路包括：

电荷存储节点；

第一晶体管和第二晶体管，用于选择性地将电荷存储节点与用于提供数据电压的第一电压输入隔离，第一晶体管和第二晶体管串联；以及

电压跟随器电路，用于在电路中的另一节点处复制电荷存储节点处的电压，从而减小第二晶体管上的漏极-源极电压；

其中，第一晶体管是电压跟随器电路的一部分。

2.根据权利要求1所述的电荷存储电路，其中，第一晶体管和第二晶体管串联在第一电压输入与电荷存储节点之间，第二晶体管连接在第一晶体管与电荷存储节点之间。

3.根据权利要求1或2所述的电荷存储电路，还包括：第三晶体管，连接在(i)第二电压输入与(ii)第一节点之间，第一节点在第一晶体管与第二晶体管之间，第三晶体管的栅极连接至电荷存储节点，电压跟随器电路包括第一晶体管和第三晶体管，并且在使用中在第一节点处复制电荷存储节点处的电压。

4.根据权利要求3所述的电荷存储电路，其中，第一晶体管的源极连接至第一电压输入，第三晶体管的漏极连接至第二电压输入，第三晶体管的源极连接至第一节点。

5.根据权利要求3所述的电荷存储电路，其中，第一晶体管和第三晶体管实质上相互匹配。

6.根据权利要求5所述的电荷存储电路，所述电荷存储电路被布置为：在电压保持模式下，施加到第一晶体管的栅极-源极偏置电压等于或实质上等于施加到第三晶体管的栅极-源极偏置电压。

7.根据权利要求1、2、4、5或6所述的电荷存储电路，适于在电压保持模式下向第一晶体管施加栅极-源极偏置电压，所述栅极-源极偏置电压在操作的亚阈值区中对第一晶体管施加偏置。

8.根据权利要求1、2、4、5或6所述的电荷存储电路，适于在电压保持模式下向第一晶体管施加栅极-源极偏置电压，所述栅极-源极偏置电压为零或实质上为零。

9.根据权利要求3所述的电荷存储电路，其中，第二电压输入在使用中提供比第一电压输入在使用中所提供的最高数据电压大的电压。

10.根据权利要求1、2、4、5、6或9所述的电荷存储电路，其中，第二晶体管是双栅极晶体管。

11.根据权利要求3所述的电荷存储电路，其中，第一晶体管和第三晶体管分别包括两个串联的晶体管。

12.根据权利要求1、2、4、5、6或9所述的电荷存储电路，还包括：

第四晶体管，串联在第一电压输入与第一晶体管之间；以及

第五晶体管，连接在(i)第三电压输入与(ii)第二节点之间，第二节点在第一晶体管与第四晶体管之间；

所述电荷存储电路可操作使得：在电压保持模式下，第五晶体管导通，从而第二节点连接至第三电压输入。

13.根据权利要求12所述的电荷存储电路，其中，所述电荷存储电路可操作使得：在电压保持模式下，第四晶体管截止。

14.根据权利要求12所述的电荷存储电路，其中，所述电荷存储电路可操作使得：在电压写入模式下，第四晶体管导通，第五晶体管截止。

15.根据权利要求12所述的电荷存储电路，其中，第四晶体管与第五晶体管的导电性类型相反，第四晶体管的栅极连接至第五晶体管的栅极。

16.根据权利要求12所述的电荷存储电路，其中，第四晶体管的栅极连接至第一晶体管的栅极。

17.根据权利要求1、2、4、5、6、9、13、14、15或16所述的电荷存储电路，包括：第一栅极线，连接至第一晶体管的栅极；以及第二栅极线，连接至第二晶体管的栅极。

18.根据权利要求1、2、4、5、6、9、13、14、15或16所述的电荷存储电路，其中，第二晶体管的栅极连接至第一晶体管的栅极。

19.根据权利要求1、2、4、5、6、9、13、14、15或16所述的电荷存储电路，包括与电荷存储节点相连的存储电容器。

20.根据权利要求1、2、4、5、6、9、13、14、15或16所述的电荷存储电路，包括与电荷存储节点相连的显示元件。