[发明专利]发光器件和发光器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

由于其物理和化学特性，III-V族氮化物半导体被关注作为发光二极管(LED)或者激光二极管(LD)的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。

这样的LED使用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外线、紫外线或者可见光的光。最近，随着LED的光效率增加，在诸如显示装置和照明装置的各种领域中使用LED。

发明内容

实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

实施例还提供具有改进的可靠性的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

在一个实施例中，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在发光结构层上的镓阻挡层；以及在镓阻挡层上的金属电极层。

在另一实施例中，发光器件封装包括：主体；第一和第二电极层，该第一和第二电极层被布置在主体上，以及发光器件，所述发光器件被布置在所述主体上并且电连接到第一和第二电极层，其中所述发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在发光结构层上的镓阻挡层；以及在镓阻挡层上的金属电极层。

在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是根据实施例的发光器件的截面图。

图2至图13是示出制造根据实施例的发光器件的工艺的视图。

图14是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。

图15是包括根据实施例的发光器件封装的背光单元的视图。

图16是包括根据实施例的发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将基于附图来进行对关于每层“上”和“下”的参考。

在附图中，为了描述的方便和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性绘制。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

在下文中，将会参考附图描述发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

图1是根据实施例的发光器件100的截面图。

参考图1，根据实施例的发光器件100可以包括：导电支撑构件175；发光结构层135，该发光结构层135被布置在导电支撑构件175上以产生光并且在其顶表面的一部分上具有光提取图案112；电极115，该电极115被布置在发光结构层135上并且包括镓阻挡层113和金属电极层114；以及保护层180，该保护层180被布置在发光结构层135的顶表面和侧表面上。

保护构件140、欧姆层150、反射层160、粘附层170、以及电流阻挡层145可以被布置在导电支撑构件175和发光结构层135之间。

发光结构层135可以包括第一导电类型半导体层110、有源层120以及第二导电类型半导体层130。从第一和第二导电类型半导体层110和130提供的电子和空穴可以在有源层120中复合以产生光。

导电支撑构件175可以支撑发光结构层135并且与电极115一起将电力提供到发光结构层135。例如，导电支撑构件175可以由其中注入杂质的载体晶片(例如，Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、SiGe等等)、Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及Cu-W中的至少一个形成。导电支撑构件175可以具有根据发光器件100的设计而变化的厚度。例如，导电支撑构件175可以具有大约30μm至大约500μm的厚度。

粘附层170可以被布置在导电支撑构件175上。粘附层170可以是结合层并且被布置在反射层160和保护构件140下面。粘附层170的外表面可以被暴露以接触反射层160、欧姆层150的末端以及保护构件140，从而增强这些层之间的粘附力。