[发明专利]基于半导体的超材料制备方法和基于半导体的超材料

权利要求书

1.一种基于半导体的超材料制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成半导体层；

根据预设电磁参数，在所述半导体层中掺入杂质；

在所述半导体层上涂覆一层光刻胶；

以具有预设微结构阵列的模板作为掩膜板对所述光刻胶进行光刻；

将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上；

去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶，获得超材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成半导体层，具体包括：

在衬底上蒸镀一层半导体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成半导体层，具体包括：

在衬底上用粘合剂压合一层半导体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据预设电磁参数，在具有微结构的半导体层中掺入杂质，具体包括：

根据预设电磁参数，采用热扩散技术在所述半导体层中掺入杂质。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据预设电磁参数，在具有微结构的半导体层中掺入杂质，具体包括：

根据预设电磁参数，采用离子注入技术在所述半导体层中掺入杂质。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除涂覆在所述半导体层上的光刻胶之后，还包括：

对掺入杂质的半导体层进行退火处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上，具体包括：

采用湿法蚀刻的方法，在所述半导体层上蚀刻出光刻胶上光刻后形成的图形.

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将光刻胶上光刻后形成的图形转移到所述半导体层上，具体包括：

采用干法刻蚀的方法，在所述半导体层上刻蚀出光刻胶上光刻后形成的图形。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为绝缘材料；所述半导体层为硅层、锗层、或者砷化镓层。

10.一种基于半导体的超材料，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的方法制备的超材料。