[发明专利]产品植入实时监测系统无效
| 申请号： | 201110145594.1 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810455A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 龚榜华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 产品 植入 实时 监测 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种产品植入实时监测系统，包括探针激光器、泵激光器、热波信号探测器及反射装置，其特征在于：所述探针激光器和泵激光器分别以两个方位对产品发射激光，所述反射装置包括用于将探针激光器发出的激光反射至产品表面的第一反射器、及用于将产品表面反射回来的激光反射至热波信号探测器的第二反射器，所述热波信号探测器用于量测自所述反射装置反射回的激光的震荡情况。
2.如权利要求1所述的产品植入实时监测系统，其特征在于：所述第二反射器设有一面对所述探针激光器的倾斜设置的第二反射面，该第二反射面位于产品的上方，用于将产品表面反射回来的激光再反射至第一反射器。
3.如权利要求2所述的产品植入实时监测系统，其特征在于：所述第一反射器位于所述热波信号探测器一侧并设有一面向所述热波信号探测器的倾斜设置的第一反射面，该第一反射面用于将第二反射面反射回来的激光反射入热波信号探测器内。
4.如权利要求3所述的产品植入实时监测系统，其特征在于：所述第一反射面与所述第二反射面相互面对设置。
5.如权利要求4所述的产品植入实时监测系统，其特征在于：所述探针激光器及泵激光器发出的激光是针对有图案的晶圆片产品上的裸晶射入的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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