[发明专利]一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法

权利要求书

1.一种具有“芯-包层”结构的纳米线器件的制备方法，其特征是：在具有台面结构的半导体衬底上，以台面底部作为基底生长具有“芯-包层”结构的纳米线，该纳米线的包层与台面侧壁的电连接通过后续生长的侧向纳米线实现。

2.权利要求1所述的侧向纳米线，是以台面的侧壁作为基底，并侧向生长从而与台面底部生长的“芯-包层”结构纳米线交叉连接。

3.权利要求1所述的侧向纳米线，是以“芯-包层”结构纳米线的包层作为基底，并侧向生长从而与台面侧壁相连。

4.权利要求1所述的侧向纳米线，是将“芯-包层”结构纳米线的包层与台面侧壁连起来，从而实现纳米线器件的包层与台面侧壁之间的电连接。

5.权利要求1所述的台面，可以通过刻蚀半导体衬底得到，其侧壁的掺杂类型和底部的掺杂类型不同。

6.权利要求1和5所述的半导体衬底含有中间层，且衬底顶部的掺杂类型与衬底底部的掺杂类型不同。

7.权利要求6所述的中间层，优选SiO₂绝缘层或具有NPN掺杂结构的半导体薄层。

8.权利要求1所述的“芯-包层”结构纳米线器件，其电极可以制备在台面底部和台面顶部；其中台面底部的电极和芯-包层”纳米线的芯相连，台面顶部的电极通过侧向纳米线和芯-包层”纳米线的包层相连。

9.权利要求1所述的衬底和纳米线材料选自IV族、II-VI族和III-V族材料，其中衬底材料优选Si、GaAs和InP，纳米线材料优选Si、GeSi、ZnO、GaAs、AlInGaAsP、InP、GaN、AlInGaN以及InGaSb。