[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110144189.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102214680A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L27/12;G09G3/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵显示器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：
栅电极；
在所述栅电极上的栅绝缘层；和
在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体；
在所述氧化物半导体层上的包括氧化铝的绝缘层；
与所述氧化物半导体层电接触的像素电极；以及
在所述像素电极上的发光层。
2.一种有源矩阵显示器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：
栅电极；
在所述栅电极上的栅绝缘层；和
在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体；
在所述氧化物半导体层上的源电极；
在所述氧化物半导体层上的漏电极；
在所述氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极上的包括氧化铝的绝缘层；
与所述源电极和所述漏电极之一电接触的像素电极；以及
在所述像素电极上的发光层。
3.一种有源矩阵显示器件，包括：
衬底；
像素，包括：
第一晶体管；
与所述第一晶体管电接触的像素电极；和
在所述像素电极上的发光层；
与所述像素可操作地连接的扫描线驱动器电路，所述扫描线驱动器电路包括第二晶体管，
所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：
在所述衬底上的栅电极；
在所述栅电极上的栅绝缘层；和
在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体；
在所述氧化物半导体层上的包括氧化铝的绝缘层。
4.一种有源矩阵显示器件，包括：
衬底；
像素，包括：
第一晶体管；
与所述第一晶体管电接触的像素电极；和
在所述像素电极上的发光层；
与所述像素可操作地连接的扫描线驱动器电路，所述扫描线驱动器电路包括第二晶体管，
所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：
在所述衬底上的栅电极；
在所述栅电极上的栅绝缘层；和
在所述栅电极上的具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述栅绝缘层插入在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体；
在所述氧化物半导体层上的源电极；
在所述氧化物半导体层上的漏电极；和
在所述氧化物半导体层、所述源电极和所述漏电极上的包括氧化铝的绝缘层。
5.如权利要求1-4之一所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述栅电极包括钼。
6.如权利要求1-4之一所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述绝缘层与所述氧化物半导体层的上表面直接接触。
7.如权利要求1-4之一所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述氧化物半导体层包括绝缘杂质。
8.如权利要求3或4所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述扫描线驱动器电路包括反相器电路。
9.如权利要求1-4之一所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述像素电极为阴极。
10.如权利要求1-4之一所述的有源矩阵显示器件，其特征在于，所述氧化物半导体层为非晶。
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