[发明专利]基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法有效
| 申请号： | 201110143822.1 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102184871A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘建华;林威 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 标准 cmos 工艺 高压 横向 扩散 nmos 制作方法 | ||
1.一种基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法，包括步骤：
提供P型硅衬底，在其上制作局部氧化隔离，所述P型硅衬底被划分为低压CMOS区域和高压LDNMOS区域，所述低压CMOS区域还被划分为PMOS区域和NMOS区域；
在所述高压LDNMOS区域注入N型杂质并作扩散，形成所述LDNMOS的高压N阱；
在所述低压CMOS区域进行CMOS双阱工艺，在所述PMOS区域形成低压N阱以及在所述NMOS区域形成低压P阱；
在所述高压LDNMOS区域依次形成厚栅氧层和薄栅氧层，在所述低压CMOS区域也同步形成栅氧层；
在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域依次形成多晶硅层和氮化硅层，然后依次刻蚀所述多晶硅层和氮化硅层，分别形成栅极和栅极阻挡层；
在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域涂布光刻胶，经过曝光和显影后露出所述LDNMOS栅极侧的P型体区的注入位置；
以所述光刻胶和栅极阻挡层为掩模，分别以大于30°的大角度和小于7°的小角度两次注入P型杂质，形成所述LDNMOS的沟道；
以所述栅极为对准标的进行离子注入，形成所述PMOS和NMOS的源区和漏区，以及形成所述LDNMOS的源区、漏区和P型体区接触端。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述厚栅氧层的厚度为300埃，所述薄栅氧层的厚度为100埃。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述N型杂质为磷，所述P型杂质为硼。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在形成源区、漏区和/或P型体区接触端之后进行快速热退火。
5.一种基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法，包括步骤：
提供P型硅衬底，其被划分为低压CMOS区域和高压LDNMOS区域，所述低压CMOS区域还被划分为PMOS区域和NMOS区域；
在所述高压LDNMOS区域注入N型杂质并作扩散，形成所述LDNMOS的高压N阱；
在所述低压CMOS区域进行CMOS双阱工艺，在所述PMOS区域形成低压N阱以及在所述NMOS区域形成低压P阱；
在所述P型硅衬底上制作局部氧化隔离，将所述PMOS区域、NMOS区域和LDNMOS区域彼此绝缘间隔开；
在所述高压LDNMOS区域依次形成厚栅氧层和薄栅氧层，在所述低压CMOS区域也同步形成栅氧层；
在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域依次形成多晶硅层和氮化硅层，然后依次刻蚀所述多晶硅层和氮化硅层，分别形成栅极和栅极阻挡层；
在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域涂布光刻胶，经过曝光和显影后露出所述LDNMOS栅极侧的P型体区的注入位置；
以所述光刻胶和栅极阻挡层为掩模，分别以大于30°的大角度和小于7°的小角度两次注入P型杂质，形成所述LDNMOS的沟道；
以所述栅极为对准标的进行离子注入，形成所述PMOS和NMOS的源区和漏区，以及形成所述LDNMOS的源区、漏区和P型体区接触端。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述厚栅氧层的厚度为300埃，所述薄栅氧层的厚度为100埃。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述N型杂质为磷，所述P型杂质为硼。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在形成源区、漏区和/或P型体区接触端之后进行快速热退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
