[发明专利]一种对不同曝光设备各层次的焦距的匹配方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种对不同曝光设备各层次的焦距的匹配方法。

背景技术

在半导体制造产量日趋增加的今天，对于光刻来说，曝光设备的数量也会日趋增加，以适应产量的提升，伴随着曝光设备的增多，对于工程师设置类似焦距(Focus)这样的参数所花费的时间也会相应地增大。由于各工艺及各层次对于不同的曝光设备选取的焦距均有差异，目前对于工程师来说，只能对各工艺及各层次的各曝光设备一一手动输入焦距，其花费时间较多并且发生错误的概率相对较高，从而导致晶片返工及报废的概率相对增加。

对于目前各工艺，各层次及各曝光设备之间焦距不匹配的情况下，光刻工程师会在光刻部门专用的R2R反馈系统中手动输入不同的焦距，以满足各曝光设备之间焦距不匹配的现象。例如新生成的部件(Part)，其包含25层(layer)，对于这25层工程师需要检查每一层对不同机台的焦距，再手动一一输入每一层对每一台曝光设备的焦距，这将造成工程师较大的负担。如果对同一层所有曝光设备设置为同一焦距，由于曝光设备之间焦距存在差异，容易导致光刻超出规格界限以及晶片结构相对较差，影响到晶片的良率。

为了解决上述问题，很有必要提供一种改进的对不同曝光设备各层次的焦距的匹配方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种改进的对不同曝光设备各层次的焦距的匹配方法。

本发明的目的通过提供以下技术方案实现：一种对不同曝光设备各层次的焦距的匹配方法，其特征在于：采用一种具有依机台焦距转变功能和设备匹配参数功能的R2R反馈系统，其中依机台焦距转变功能是对同工艺的同层次的焦距转变预先设置在模板里，对于新生成的部件自动导入即可；设备匹配参数功能是曝光设备焦距由于种种原因转变时，可以直接在设备匹配参数功能里加入焦距转变量。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过在R2R反馈系统中增加依机台焦距转变功能和设备匹配参数功能，可以减少工程师负担并且提升产品良率。

具体实施方式

以下用优选实施方式来说明本发明的实现过程和本质内容所在。

本发明的技术方案是：由技术部门更新目前光刻部门所采用的R2R反馈系统，增加依机台焦距转变(Focus shift by EQP)功能和设备匹配(Tool match)参数功能。其中依机台焦距转变功能，只要对同工艺的同层次的焦距转变预先在模板里设置完成，对于新生成的部件(part)自动导入即可，既能减少工程师的负担，也能减少每次设置的风险。设备匹配参数功能，当曝光设备焦距由于种种原因转变时，可以直接在设备匹配参数功能里加入焦距转变量，避免对所有部件的层次进行重新更新，可以减少工程师大量的负担。

当本发明的以上两种功能同时使用时，焦距的下货值＝工作数值+各工艺的各层次的焦距转变量+设备匹配参数。本发明的关键点在于更新光刻部门的R2R反馈系统，使其在有新部件生成时，可以自动导入模板里预设好好的焦距转变量，而不再需要人为针对每一机台设定不同的焦距。而曝光设备在工作中出现机台焦距转变时，可以直接修改R2R反馈系统中设备匹配参数，以随时使产品的焦距处在最佳焦距位置。

本发明的优点在于可以节约人力，减少工程师负担，并且可以避免人为因素造成的产品光刻超出规格界限以及晶片结构异常，从而提升了产品良率，有利于提高生产效率降低生产成本。

尽管为示例目的，已经公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本发明的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。