[发明专利]一种大规格IGBT模块及其封装方法无效

专利信息
申请号: 201110143687.0 申请日: 2011-05-31
公开(公告)号: CN102201396A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 陈兴忠;颜书芳;陈雪筠;颜辉 申请(专利权)人: 常州瑞华电力电子器件有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 周祥生
地址: 213231*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 规格 igbt 模块 及其 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种大规格IGBT模块,其特征是:它包括紫铜底板(1)、导热绝缘陶瓷覆铜板(2)、IGBT芯片(3)、连接导线束(4)、电极A(5)、电极B(6)、电极C(7)、控制端子(8)、塑料壳体(9)、硅凝胶层(10)和环氧绝缘层(11),IGBT芯片(3)由两只二极管和两只三极管组成,IGBT芯片(3)、电极A(5)、电极B(6)和电极C(7)都钎焊在导热绝缘陶瓷覆铜板(2)上,导热绝缘陶瓷覆铜板(2)钎焊在紫铜底板(1)上,在紫铜底板(1)上罩有塑料壳体(9),在电极A(5)、电极B(6)、电极C(7)、IGBT芯片(3)和导热绝缘陶瓷覆铜板(2)上依次设有硅凝胶层(10)和环氧绝缘层(11)。

2.权利要求1所述大规格IGBT模块的封装方法如下:

第一步:对紫铜底板(1)进行预弯处理,根据焊接试验先测量出导热绝缘陶瓷覆铜板(2)和紫铜底板(1)钎焊导致紫铜底板(1)的外凸翘曲变形量,沿紫铜底板(1)变形方向进行反向预弯处理,使紫铜底板(1)的底面产生内凹变形;

第二步:IGBT芯片(3)和三个电极在导热绝缘陶瓷覆铜板(2)的定位,用定位板使IGBT芯片(3)和三个电极在导热绝缘陶瓷覆铜板(2)上准确定位;

第三步,烧结,在充满氮气的焊接炉中设有电加热底座,将放有IGBT芯片(3)和三个电极的导热绝缘陶瓷覆铜板(2)放在电加热底座上,然后升温125~128℃烧结,烧结时间120秒~150秒;烧结后在90℃~100℃条件下保温30分钟;

第四步,连接导线束(4)的键合焊接,用键合焊接机将IGBT芯片(3)与固定在导热绝缘陶瓷覆铜板(2)上的电极通过连接导线束(4)键合焊接连接起来,键合焊接后进行空冷至室温;

第五步,紫铜底板(1)与导热绝缘陶瓷覆铜板(2)之间焊接,在充满氮气的保护焊接炉中设有电加热底座,将经预处理后的紫铜底板(1)放置在电加热底座上,内凹底面向下,然后进行钎焊,这样就能减小两者钎焊产生的变形量;

第六步,套壳,用塑料壳体(9)罩住紫铜底板(1),使紫铜底板(1)与塑料壳体(9)的底部卡口过盈配合;

第七步,封装,先用定量注液器向塑料壳(9)内注入液态硅凝胶,确保硅凝胶固化厚度为3.0~3.2毫米,然后再用定量注浆器向外壳内注入环氧树脂进行固化;

第八步,电极整形,当环氧树脂固化后,用折弯机对三个电极进行定折弯处理。

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