[发明专利]电感电路装置有效

专利信息
申请号: 201110143025.3 申请日: 2011-05-30
公开(公告)号: CN102299686A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 伊戈尔·布莱德诺夫 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 电感 电路 装置
【权利要求书】:

1.一种电感电路,用于将输入信号划分为两个输出信号,所述电路包括:

输入端子,接收输入信号;

第一电感电路,包括一对键合引线,所述一对键合引线与所述输入端子耦接、并且延伸到第一输出端子以提供第一输出信号;

第二电感电路,包括从中间输入端子延伸到第二输出端子以提供第二输出信号的键合引线,

其中,键合引线沿平行方向延伸并且彼此偏移,以减轻键合引线之间的磁耦合;

将中间输入端子与第一输出端子耦接的电容电路;以及

将输入端子与第二输出端子耦接的电容电路。

2.根据权利要求1所述的电路,其中电感和电容电路配置为通过将输入信号划分为彼此偏移预定相移的输出信号,来将所述输入信号划分为第一和第二输出信号。

3.根据权利要求1所述电路,

还包括有损衬底,在所述有损衬底上形成各个端子;以及

其中键合引线配置为促进相互磁耦合,并且减少输入信号经由有损衬底的通过。

4.根据权利要求1所述的电路,还包括:

与端子接触的有损衬底;以及

所述衬底上的绝缘材料,配置为将端子彼此电绝缘。

5.根据权利要求1所述的电路,还包括横向扩散金属氧化物半导体LDMOS衬底,各个端子和电容电路与LDMOS衬底相耦接。

6.根据权利要求1所述的电路,还包括分别与相应键合引线的端部耦接并与地平面和基准电压平面中的至少一个耦接的电容电路。

7.根据权利要求1所述的电路,还包括:电阻负载电路,与所述中间输入端子耦接以耗散掉从输出端子反射的功率。

8.根据权利要求1所述的电路,其中第一和第二电感电路的每一个中的键合引线分别配置为在选定频带中提供第一和第二电感电路之间的相互磁耦合。

9.根据权利要求1所述的电路,其中相应的端子、电容器和键合引线配置为接收射频RF信号,将RF信号划分为两个部分,并在特定频带中以预定相位差,按照选定的阻抗将RF信号传递至输出端子。

10.根据权利要求1所述的电路,其中输出端子分别与主放大器电路和峰值放大器电路的输入端子相连。

11.根据权利要求1所述的电路,还包括:

第一和第二放大器,其输入分别与第一和第二输出端子耦接;以及

与放大器耦接的输出电路,所述输出电路包括至少两条键合引线,所述至少两条键合引线彼此基本上平行,并且分别将放大器的输出端子彼此耦接。

12.根据权利要求1所述的电路,还包括:

第一和第二放大器,分别与第一和第二输出端子耦接;以及

耦接在每一个放大器的输入与地平面和金属屏蔽板的至少一个之间的电容电路,所述金属屏蔽板与底层衬底的基准电压平面相连。

13.根据权利要求1所述的电路,还包括:

第一和第二放大器,分别与第一和第二输出端子耦接;以及

对于每一个放大器:

电容电路;以及

相对于彼此沿平行方向延伸的一对键合引线,所述键合引线中的第一键合引线与放大器的输入和中间电容电路端子耦接,所述键合引线中的第二键合引线与中间电容电路端子和电容电路耦接,所键合引线配置为彼此相互磁耦合。

14.一种射频放大器电路,包括:

横向扩散金属氧化物半导体LDMOS衬底;

主放大器电路;

峰值放大器电路;

输入端子,接收输入信号;

第一电感电路,包括一对键合引线,所述一对键合引线与输入端子耦接,并且延伸至第一输出端子以向所述峰值放大器的输入提供第一输出信号;

第二电感电路,包括键合引线,所述键合引线从中间输入端子延伸至第二输出端子,以向所述主放大器电路的输入提供第二输出信号;

其中各个端子位于LDMOS衬底上;

键合引线沿平行方向延伸并且彼此偏移,以减轻键合引线之间的磁耦合;

将中间输入端子与第一输出端子耦接的电容电路;以及

将输入端子与第二输出端子耦接的电容电路。

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